Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5

Воробьев Юрий Владимирович. Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Воробьев Юрий Владимирович;[Место защиты: ФГБОУ ВО «Рязанский государственный радиотехнический университет»], 2018.- 160 с.
Автор
Воробьев Юрий Владимирович
Год
2018

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Интерфейсные эффекты в электронном спектре ограниченных полупроводников и полуметаллов
99 000 UZS
Автор
Девизорова Жанна Алексеевна
Количество страниц
Год
2018
Особенности обменного взаимодействия и релаксации спина в разбавленных магнитных системах
99 000 UZS
Автор
Крайнов Игорь Вадимович
Количество страниц
Год
2018
Спектр и динамика лазеров на модах шепчущей галереи и кольцевых лазеров
99 000 UZS
Автор
Донцов Антон Александрович
Количество страниц
Год
2018
Синтез, структура и электрофизические свойства пленочных материалов на основе селенида свинца
99 000 UZS
Автор
Разина Алиса Геннадьевна
Количество страниц
Год
2018
Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Смирнов Дмитрий Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3