Введение
ГЛАВА 1. Методы атомно-силовой микроскопии, применяемые для диагностики наноструктурированных материалов 16
1.1 Атомно-силовая микроскопия 16
1.1.1. Основные элементы атомно-силового микроскопа 17
1.2. Режимы работы сканирующей зондовой микроскопии 27
1.2.1. Контактный режим работы АСМ 29
1.2.2. Полуконтактный и бесконтактный режимы АСМ 30
1.2.3. Метод Кельвин-зонд микроскопии – пример двухпроходного бесконтактного режима 32
1.2.4. Микроскопия сопротивления растекания – пример однопроходного контактного режима .33
1.2.4.1. Применение микроскопии сопротивления растекания на примере изучения сколов гетероструктур ITO/a-Si:H/c-Si/ITO(Ag) 35
1.2.5. Полуконтаткная микроскопия сопротивления растекания .39
1.3. Краткая характеристика приборов, используемых в работе 41
1.4. Выводы к главе 1 .42
ГЛАВА 2. Исследование компонентов водородных топливных элементов с помощью микроскопии сопротивления растекания 44
2.1. Введение 44
2.2. Объект и методы исследования .49
2.3. Экспериментальные результаты 51
2.4 Выводы к главе 2 59
ГЛАВА 3. Изучение структурных и проводящих свойств тонких сегнетоэлектрических пленок PbZrxTi1-xO3 61
3.1 Введение 61
3.2. Образцы и методы исследования PbZrxTi1-xO3 пленок 72
3.3. Экспериментальные результаты
3.3.1. Исследования поликристаллической PbZrxTi1-xO3 пленки 75
3.3.2. Исследования эпитаксиальной PbZrxTi1-xO3 пленки 89
3.4. Выводы к главе 3 94
ГЛАВА 4. Изучение поведения зарядов, инжектированных в пленки high-k диэлектрика SmScO3, с помощью Кельвин-зонд микроскопии 95
4.1. Введение 95
4.2. Объекты и метод их исследования 102
4.3. Экспериментальные результаты 104
4.3.1. Изучение рельефа поверхности .104
4.3.2. Общая концепция в изучении поведения инжектированного заряда 106
4.3.2.1. Оценка полного числа инжектированных зарядов в зарядовом пятне 112
4.3.3. Изучение особенностей в поведении инжектированного заряда в зависимости от температуры отжига образца и температуры подложки 115
4.4. Выводы к главе 4 119
Заключение 120
Публикации по теме диссертации 123
Список литературы
