Введение
ГЛАВА 1. Физико-математическое описание неравновесной кристаллизации полупроводниковых кристаллов
1.1. Постановка задачи кристаллизации 13
1.2. Приближение Буссинеска и обезразмеривание системы уравнений
1.3. Цилиндрические координаты. Разнесенная разностная сетка и 18
способ расщепления уравнений
1.4. Криволинейные координаты. Итоговые разностные соотношения
1.5. Решение задачи о кристаллизации. Метод решения задачи Стефана
1.6. Неравномерность перемещения нагревательного элемента 31
1.7. Концентрационное переохлаждение 35
ГЛАВА 2. Неравновесная кристаллизация в условиях ламинарной конвекции
2.1. Постановка задачи кристаллизации 42
2.2. Криволинейные координаты, расщепление уравнений 44
2.3. Консервативность численной схемы 47
2.4. Особенности построения описания неравновесного роста 49
ГЛАВА 3. Результаты расчетов 51
3.1. Кристаллизация системы Ge в условиях диффузионного режима роста
3.1.1 Условия модельной задачи 52
3.1.2 Особенности решаемой задачи 53
3.1.3 Расчет фундаментальных полос роста 54
3.1.4. Расчет аппаратурных полос роста 56
3.2. Описание процесса роста системы GeSb в условиях ламинарной конвекции
3.2.1. Условия модельной задачи
3.2.2. Процесс роста системы Ge в условиях ламинарной конвекции. Расчет продольного распределения примеси, сравнение с моделью Пфанна
3.2.3. Моделирование процесса неравновесной кристаллизации 67
системы Ge
3.2.4. Исследование поперечной неоднородности распределения 68
примеси при расчете задач неравновесного и равновесного роста 3.2.5. Изменение температуры кристаллизации при неравновесном 73
росте. Колебания скорости роста при появлении полос роста Заключение 76
Список литературы 78
