Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN

Павлюченко, Алексей Сергеевич. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Павлюченко Алексей Сергеевич; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2011.- 103 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/480
Автор
Павлюченко, Алексей Сергеевич
Год
2011
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Оптимизация активной области светодиодной гетероструктуры на основе АHnСaN 16
1.1. Проблема падения внешней квантовой эффективности с ростом тока накачки и предлагаемые методы решения (обзор) 16
1.2. Неоднородность инжекции носителей в активную область в стандартной гетероструктуре. Гетероструктуры с короткопериодной сверхрешёткой в активной области 23
1.3. Моделирование электрооптических свойств гетероструктур с короткопериодной сверхрешёткой в активной области 34
1.4. Экспериментальное исследование гетероструктур с короткопериодной сверхрешёткой в активной области. Сопоставление с результатами моделирования 37
1.5. Особенности температурных зависимостей эффективности и спектральных характеристик электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе АHnСaN 43
Глава 2. Создание рассеивающих свет неоднородностей на границе СаН-сапфир для преодоления эффекта полного внутреннего отражения света и увеличения внешней квантовой эффективности светодиодов 48
2.1. Способы создания рассеивающих интерфейсов на границах светодиодной гетероструктуры для увеличения коэффициента вывода света (обзор] 48
2.2. Формирование пористого слоя на границе СaN-АЬОз на стадии роста низкотемпературного зародышевого слоя 52
2.3. Экспериментальное подтверждение повышения эффективности в светодиодных гетероструктурах, выращенных на сапфировой подложке с формированием пористого слоя на границе GaN АI2O3 67
Глава 3. Повышение эффективности вывода света из кристаллов светодиодов на стадии формирования контактов, исследование свойств прозрачных проводящих плёнок ITO 70
3.1. Сравнение существующих конструкций мощных эффективных светодиодных кристаллов (обзор] 70
3.2. Разработка технологии создания прозрачного проводящего контакта к р-поверхности светодиодных кристаллов, в которых вывод света осуществляется через прозрачный контакт 74
3.3. Способы создания контактов с высоким коэффициентом отражения к р-поверхности светодиодных кристаллов мезапланарной конструкции, в которых вывод света осуществляется через прозрачную подложку 85
Заключение 92
Публикации автора по теме диссертации 94
Список литературы 97

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Галеева, Александра Викторовна
Количество страниц
Год
2011
99 000 UZS
Автор
Середин, Павел Владимирович
Количество страниц
Год
2012
99 000 UZS
Автор
Ковш, Алексей Русланович
Количество страниц
Год
2011
99 000 UZS
Автор
Рябцев, Станислав Викторович
Количество страниц
Год
2011
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3