Глава 1. Инжекционная модификация многослойных диэлектрических слоев МДП-структур 11
1.1. Сильполевая туннельная инжекция и основные направления ее использования в МДП-технологиях 11
1.2. Процессы накопления зарядов в многослойных диэлектрических слоях МДП-структур при инжекционной модификации 20
1.3. Инжекционные методы исследования МДП-структур с многослойными диэлектрическими слоями 39
1.4. Перспективные направления использования инжекционно модифицированных МДП-структур в полевых приборах и ИМС 43 Выводы к главе 1 47
Глава 2. Методы исследования накопления зарядов в многослойных диэлектричеких слоях МДП-структур 48
2.1. Метод двухуровневой токовой нагрузки для исследования процессов изменения зарядовых состояний в условиях сильных электрических полей 48
2.2. Установка для реализации метода двухуровневой токовой нагрузки 59
2.3. Измерительные установки, для исследования электрофизических характеристик инжекционно модифицированных МДП-структур и приборов на их основе 61
Выводы к главе 2 69
Глава 3. Исследование процессов накопления и стекания зарядов в инжекционно модифицированных МДП-структурах и приборах на их основе 71
3.1. Влияние температуры на накопление положительного заряда в МДП-структурах Si-Si02-OCC-Al при инжекционной модификации. 71
3.2. Исследование влияния режимов сильнополевой инжекционной модификации на пороговые напряжения МДП-транзисторов 83
3.3. Исследование характеристик стекания инжекционно стимулированного заряда МДП-транзисторов и распределений МДП-структур по напряжению, соответствующему середине запрещенной зоны, при проведении инжекционной модификации... 92
3.4. Влияние протонного облучения на инжекционно модифицированные МДП-структуры Si-SiCVOCC-Al 97
Выводы к главе 3 102
Глава 4. Моделирование процессов накопления и стекания зарядов при инжеционной модификации МДП-структур Si-Si02-OCC-Al 104
4.1. Моделирование процессов накопления положительного заряда в МДП-структурах Si-Si02-Al в условиях сильнополевой туннельной инжекции при различных температурах 104
4.2. Моделирование процессов изменения зарядового состояния при инжекционной модификации многослойных диэлектрических слоев МДП-структур Si-Si02-
Выводы к главе 4 122
Глава 5. Инжеционная модификация в производстве МДП-ИМС и исследование приборов на основе инжекционно модифицированных слоев 124
5.1. Способ изготовления МДП-транзисторов на основе инжекционно модифицированных многослойных диэлектрических слоев 124
5.2. Инжекционная модификация МДП-приборов и ИМС методом квазипостоянного тока 132
5.3. Исследование температурной стабильности ИМС на основе инжекционно модифицированных диэлектрических слоев 137
Выводы к главе 5 143
Заключение. Основные результаты и выводы 145
Список литературы
