Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe

Сидоров, Георгий Юрьевич. Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Сидоров Георгий Юрьевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2011.- 156 с.: ил. РГБ ОД, 61 11-1/968
Автор
Сидоров, Георгий Юрьевич
Год
2011

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
99 000 UZS
Автор
Заварин Евгений Евгеньевич
Количество страниц
Год
2008
Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Шубина, Татьяна Васильевна
Количество страниц
Год
2008
Исследование физических свойств ВТСП купратов в рамках модели сверхпроводящего спаривания с отталкивательным взаимодействием
99 000 UZS
Автор
Софронов Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2007
Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
99 000 UZS
Автор
Сидоров, Игорь Викторович
Количество страниц
Год
2010
Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов
99 000 UZS
Автор
Лубов, Максим Николаевич
Количество страниц
Год
2010
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3