Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света

Смирнов Александр Николаевич. Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Санкт-Петербург, 2001.- 180 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-1/280-7
Автор
Смирнов Александр Николаевич
Год
2001

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Гетероэпитаксия сложных оксидов
99 000 UZS
Автор
Мухортов Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2001
Электростимулированная диффузия ионов в ВТСП-материалах на основе иттрия и висмута и природа токонесущего состояния в сверхпроводниках d-типа
99 000 UZS
Автор
Троицкий Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Удельное сопротивление бинарных аморфных металлических сплавов
99 000 UZS
Автор
Ривин Владимир Эрвинович
Количество страниц
Год
2001
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка - подложка
99 000 UZS
Автор
Труханов Евгений Михайлович
Количество страниц
Год
2001
Влияние решеточного ангармонизма на упругие модули и теплоемкость редкоземельных ферро- и парамагнетиков
99 000 UZS
Автор
Зелюкова Ольга Геннадиевна
Количество страниц
Год
2001
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3