Введение
1. Литературный обзор
1.1. Современные требования к материалам, используемым для изготовления различных пьезоэлектрических устройств. Основные пьезоэлектрические кристаллы, применяемые в промышленности. Кристаллическая структура, методы выращивания, физические и пьезоэлектрические свойства с. 8-23
1.1.1. Кварц (Si02) с.10-13
1.1.2. Берлинит (А1Р04) с. 13-15
1.1.3. Танталат и ниобат лития (ЬіТаОз и ЬіМЮз) с. 15-18
1.1.4. Тетраборат лития (ІЛ2В4О7) с. 18-20
1.1.5. Цинкит (ZnO) с.21-22
1.1.6. Селениты Bii2Ge02o и Bii2Si02o с.22-23
1.2. Перспективный материал для использования в пьезотехнике и акустоэлектронике - лангасит LaaGasSiOn, LGS с. 24-45
1.2.1. Особенности кристаллической структуры с. 30-32
1.2.2. Фазовая диаграмма тройной системы <ла2Оз - Ьа2Оз -Si02 с.32-34
1.2.3. Выращивание крупногабаритных кристаллов с. 34-3 7
1.2.4. Основные виды структурных дефектов с.37-39
1.2.5. Физические свойства с.39-45
2. Экспериментальная часть
2.1. Способ выращивания монокристаллов семейства лангасита с. 46-51
2.1.1. Исходные вещества и способ получения монокристаллов с. 46-48
2.1.2. Методы исследования с. 49-51
3. Результаты и обсуждение
3.1. Кристаллы шихтового состава La3GasSiOi4 - La3Ga4(GaSi)Oi4 (Ga:Si=l:l) с.52-65
3.2. Кристалл шихтового состава ЬазСгаз.мБіо.вбОи - La3Ga4(Gai.i4Sio.g6)Oi4 (Ga>Si) с. 65-69
3.3. Кристалл шихтового состава La3GasSiOi4 с 0.2 вес.% избытком Ga2Os с.70-73
3.4. Кристалл шихтового состава La3Ga5Sio.9Geo.1O14 -La3Ga4(GaSio.9Geo.i)Oi4 (Ga:(Si+Ge)=l:l) с.73-85
4. Оптические свойства и экспресс-метод определения точечных дефектов в кристаллах лангасита с.86-95
5. Диэлектрические свойства кристаллов лангасита с.96-102
6. Другие композиции кристаллов семейства лангасита с. 103-110
6.1. Кристалл La3Ga5.5Tao.5O14 с.104-107
6.2. Кристалл La3Ga5.5Nbo.5O14 с. 107-110
6.3. Кристалл Ca3NbGa3Si20i4 с.110
Основные выводы с.111-113
