Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек для создания миниатюрных неклассических излучателей

Гайслер Алексей Владимирович. Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек для создания миниатюрных неклассических излучателей: диссертация ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 / Гайслер Алексей Владимирович;[Место защиты: Институт физики полупроводников СО РАН].- Новосибирск, 2015.- 172 с.
Автор
Гайслер Алексей Владимирович
Год
2015
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Самоорганизованные InGaAs квантовые точки как основа сверхминиатюрных неклассических излучателей света 20
1.1. Технологии получения квантовых точек. Методы селективного позиционирования квантовых точек КТ 20
1.2. Спектр энергетических состояний InGaAs квантовых точек 32
1.3. Статистика фотонов в классических и неклассических излучателях. Полупроводниковые квантовые точки как излучатели одиночных фотонов и фотонных пар, запутанных по поляризации 45
1.4. Полупроводниковые микрорезонаторы. Эффекты квантовой электродинамики в микрорезонаторах 50
ГЛАВА 2. Методики экспериментов и расчетов 58
2.1. Методика атомно - силовой микроскопии 59
2.2. Методики макро- и микролюминесценции 59
2.3. Одномерная модель характеристических матриц для расчета оптических параметров полупроводниковых микрорезнаторов 66
2.4. Трехмерная модель собственных мод для расчета оптических характеристик 70
ГЛАВА 3. Структурные и люминесцентные характеристики массивов InGaAs квантовых точек 72
3.1 Конструкция исследуемых структур 72
3.2. Спектры макро- и микролюминесценции InGaAs квантовых точек 76
3.3. Характер изация квантовых точек с использованием методики атомно - силовой микроскопии 83
3.4. Метод селективного позиционирования InGaAs квантовых точек 91
ГЛАВА 4. Полупроводниковый брэгговский микрорезонатор с селективно позиционированными InGaAs квантовыми точками 96
4.1. Конструкция микрорезонатора 96
4.2. Расчет характеристик микрорезонаторов: резонансная частота, добротность, объем моды, фактор Парселла 103
4.3. Внешняя квантовая эффективность брэгговского микрорезонатора и расходимость излучения 115
4.4. Методика подготовки лабораторных образцов микрорезонаторов 122
4.5. Вольт - амперные характеристики излучателей 130
4.6. Спектры электролюминесценции полупроводниковых микрорезонаторов с InGaAs квантовыми точками 133
ГЛАВА 5. Тонкая структура экситонных состояний InGaAs квантовых точек 136
5.1. Расщепление экситонных состояний в InGaAs квантовых точках. Генерация фотонных пар, запутанных по поляризации 136
5.2. Методика определения расщепления экситонных состояний 139
5.3. Тонкая структура экситонных состояний для квантовых точек, выращенных с малым временем прерывания роста 144
Заключение 146
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Граби Зухаир Хуссейн Джавад
Количество страниц
Год
2015
99 000 UZS
Автор
Бобров Александр Игоревич
Количество страниц
Год
2015
99 000 UZS
Автор
Грач Евгений Петрович
Количество страниц
Год
2015
99 000 UZS
Автор
Богданов Денис Григорьевич
Количество страниц
Год
2015
99 000 UZS
Автор
Коськова Татьяна Валерьевна
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3