Введение
1. Генерация положительного заряда в термических пленках SiC>2 МДП-структур при сильнополевых воздействиях 12
1.1. Зарядовая природа и дефекты термических плёнок SiC>2 на кремнии 12
1.2. Влияние сильных электрических полей на генерацию положительного заряда в подзатворном диэлектрике МДП-структур 21
1.3. Методы определения электрофизических параметров МДП- структур 29
1.4. Моделирование генерации положительного заряда в диэлектрике МДП-структур 35
2. Метод двухуровневой токовой нагрузки для исследования ге нерации положительного заряда в диэлектрике МДП-структур 40
2.1. Основы метода двухуровневой токовой нагрузки 40
2.2. Использование метода управляемой токовой нагрузки для исследования процессов генерации положительного заряда в МДП-структурах 46
2.3. Установка для реализации метода двухуровневой токовой нагрузки 51
2.4. Совместное использование метода двухуровневой токовой нагрузки и CV-характеристик для контроля зарядового состояния МДП-структур 54
3. Исследование генерации положительного заряда в термических пленках 5Юг МДП-структур при воздействии сильных электрических полей в широком диапазоне температур 72
3.1. Генерация положительного заряда в МДП-структурах с термической пленкой S1O2 при инжекции электронов в сильных электрических полях при комнатной температуре 72
3.2. Влияние температуры на генерацию положительного заряда в МДП-структурах с толстой термической пленкой 8Юг при инжекции электронов в сильных электрических полях 77
3.3. Особенности генерации положительного заряда в тонких термических пленках S1O2 МДП-структур при инжекции электронов в сильных электрических полях 84
3.4. Влияние режимов инжекции (плотности тока) на температурную зависимость генерации положительного заряда в термических пленках МДП-структур 96
4. Моделирование процессов генерации положительного заряда в подзатворном диэлектрике МДП-структур 102
4.1. Модель зарядового состояния МДП-структур с толстыми пленками в условиях сильнополевой туннельной инжекции 102
4.2. Модель зарядового состояния МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжекции 110
4.3. Моделирование процессов генерации положительного заряда в тонких термических пленках Si02 113
5. Применение метода контроля генерации положительного заряда в производстве МДП-ИС 122
5.1. Метод оценки качества подзатворного диэлектрика КМДП-ИМС по сдвигу напряжения, приложенному к прибору, с учетом температурной зависимости 122
5.2. Влияние технологических факторов на генерацию положительного заряда в МДП-структурах в сильных электрических полях при различных температурах и контроль качества диэлектрических пленок в производстве ИС с учетом температурной зависимости 125
5.3. Влияние температурной зависимости генерации положительного заряда в МДП-структурах с термической пленкой двуокиси кремния при проведении инжекционной модификации 136
5.4. Генерация положительного заряда в короткоканальных МДП- транзисторах 143
Основные результаты и выводы 164
