Введение
1. Влияние слоя полупроводника с управлямой проводимостью на распространение плоской электромагнитной волны 19
1.1. Взаимодейотвие миллиметровых и субмиллиметровых волн со свободными носителями зарядов 20
1.2. Модуляция прошедшей и отраженной волны однородным слоем с управляемой проводимостью 32
1.3. Некоторые возможности уменьшения коэффициента отражения 55
1.4. Дифракция на слое с неоднородной проводимостью. 62
1.5. Модуляция при инжекции из р-п перехода 72
1.6. Краткие выводы 91
2. Экспериментальное исследование управляемого поглощения в германии 95
2.1. Поглощение и отражение миллиметровых и субмил лиметровых волн германием 95
2.2. Конструкция полупроводникового элемента IQ4
2.3. Исследование распределения потенциала, концентрации неравновесных носителей заряда и ослабления в активной области модуляторного элемента .
2.4. Влияние механических дефектов на поверхности модуляторного элемента на характеристики модулятора 122
2.5. Характеристики модулятора при низких температурах 127
2.6. Краткие выводы 141
3. Многоконтактбые структуры 143
3.1. Структура с микродроссельной развязкой 145
3.2. Слоистая структура 150
3.3. Структура с решеткой малых контактов в объемена основе эпитаксиального кремния 155
3.4. Мозаизная структура 162
3.5. Краткие выводы 182
4. Электромагнитной волш на неоднородной концентрации носителей заряда в полупроводнике 184
4.1. Полупроводниковые дифракционные структуры с фотогенерированной электронно-дырочной плазмой... 185
4.2. Распределение избыточной концентрации носителей заряда в дифракционных элементах 189
4.3. Экспериментальная установка для исследования дифракции 195
4.4. Дифракция электромагнитной врлны на периодически неоднородной фотогенерированной плазме в германии 201
4.5. Быстродействие 209
4.6. Зонные пластинки 211
4.7. Дифракционные системы с электронно-дырочной плазмой, создаваемой контактной инжекцией... 218
4.8. Краткие выводы 229
Заключение 232
Литера тура
