Введение
Глава 1 Усиление акустических волн дрейфом носителей в пьезополупроводниках и влияние ультразвука на оптические свойства полупроводников - 8
1 - Линейный режим акустоэлектронного усиления.. - 8 2 - Нелинейный режим акустоэлектронного усиления - 14
3 - Акустическая неустойчивость - 17
4 - Рассеяние Манделынтама-Бриллюэна - 20
5 - Экситоны и эффекты сильного оптического возбуждения в полупроводниках - 22
Глава II - Методика эксперимента - 30
1 - Установка для исследования акустоэлектронных и электронных свойств полупроводников оптическими методами - 30
1.1 - Общее описание установки - 32
1.2 - Криостат - 33
1.3 - Оптические схемы освещения образца и сборавторичного свечения...; - 35
1.4 - Двойной монохроматор - 42
1.5 - Регистрирующая система - 44
1.6 - Генератор высоковольтных импульсов - 54
2 « Методика приготовления и характеристики образцов -56
Глава III - Исследование оптическими методами акустоэлектронного усиления продольных акустических волн в диапазоне 50 ГГЦ В 0*3 - 67
1 - Оценка возможности усиления акустических волн в диапазоне 50 ГГц и особенности эксперимента - 67
2 - Спектры рассеяния Манделыптама-Бриллюэна... - 69
3 - Исследование линейного участка акустоэлектронного усиления продольных АВ с частотой 42 ГГц - 76
4 - Исследование нелинейного режима акустоэлектронного усиления продольных АВ с частотами 42 ГГц - 89
5 - Оценка абсолютной интенсивности акустических волн, усиленных дрейфом носителей в Col при 62 К - 92
Глава IV- Индуцированное эффектом франца-келдыша акустоэлектронное усиление и вторичное свечение в CdS -116
1 - Экспериментальные результаты -116
2 - Модель акустоэлектронного усиления с учетом эффекта Франца-Келдыша -124
3 - Образование ЭДП в условиях акустической неустойчивости w насыщение индуцированного эффектом Франца-Келдыша акустоэлектронного усиления -131
Глава V - Контролируемое столкновениями рассеяние света свободными электронами в полупроводниках . -148
1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой (обзор) -148
1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой в бесстолкновительном режиме -150
2 - Рассеяние света свободными носителями в полупроводниках с учетом частых столкновений.. -153
3 - Рассеяние света генерационно-рекомбинационным шумом в плазме полупроводника - 156
2 - Экспериментальное исследование контролируемого столкновениями рассеяния света свободными электронами в полупроводниках и влияние на него внешнего электрического поля... 156
3 - Рассеяние света на генерационно-рекомбинаци»онном шуме. Эксперимент - 173
3аключение - 176
Литература - 179
