Излучающие и фоточувствительные гетероструктуры на длины волн более 1 мкм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Si

Излучающие и фоточувствительные гетероструктуры на длины волн более 1 мкм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Si

Физика полупроводников и диэлектриков - Физико-математические науки
Автор
Самарцев Илья Владимирович
Год
2025
  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Савчук Ксения Сергеевна
Количество страниц
Год
2025
99 000 UZS
Автор
Тепляков Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2025
99 000 UZS
Автор
Трегубчак Татьяна Владимировна
Количество страниц
Год
2025
99 000 UZS
Автор
Тулубец Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2025
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3