Введение
Глава 1. Влияние ионизирующего излучения на МОП-структуру 10
1.1.Общие представления о влиянии ионизирующего излучения на МОП-структуру 10
1.2. Влияние технологии формирования МОП-структур на характер радиационной деградации 14
1. 3 Влияние гамма-облучения на диэлектрические параметры термического диоксида кремния 22
1.4 Исследование радиационной стабильности МДП-структур с модифицированными окислами кремния и другими видами диэлектрика 24
1. 5 Отжиг радиационно-индуцированного заряда 29
Глава 2. Сущность эксперимента и методы исследования 35
2.1. Экспериментальные МОП-структуры 35
2.2.Установка для измерения вольт-фарадных характеристик и.метод измерения 37
2 3 Сущность метода катодолюминесценции 44
2 .4 Люминесцентные свойства системы Si-Si02 46
Глава 3. Исследование электрофизических характеристик тестовых структур 50
3.1.Изменение заряда в окисле тестовых структур при формировании затвора из поликристаллического кремния 50
3.2. Релаксация механических напряжений при формировании подзатворного диоксида кремния 56
3.3.Исследование гистерезиса вольт-фарадных характеристик тестовых структур 61
Глава 4. Исследование влияния гамма-излучения на тестовые структуры Si-Si02-Si*-Al 69
4.1.Заряд в окисле тестовых структур при облучении б 9
4.2.Гистерезис ВФХ тестовых структур при облучении 73
4. 3.Изменение радиационного заряда тестовых структур после облучения 78
4.4. Радиационная и пострадиационная деградация электрофизических параметров при низкотемпера турном облучении 87
4.5.Особенности радиационной деградации электрофизических свойств тестовых структур при облучении под смещением на затворе 90
4.6.Изменение дефектной структуры окисла при воздействии ионизирующего излучения 99
Основные выводы 100
Литература 100
