Введение
Глава 1. Общие сведения 13
1.1. Кристаллическая структура SiO2 и пути ее модификации для создания low-k диэлектриков. Влияние изменения электроотрицательности окружения атомов кремния и введения пористости на его электронную структуру 13
1.2. Кристаллическая структура -, - и аморфного Al2O3. Влияние соотношения содержания октаэдрических AlO6 и тетраэдрических AlO4 координаций в структуре на положение потолка валентной зоны и дна зоны проводимости 19
1.3. Плотность заполненных (незаполненных) состояний валентной зоны (зоны проводимости) и ее наблюдение с помощью рентгеновских спектроскопических методов 25
1.4. Физические принципы спектроскопии полного квантового выхода внешнего рентгеновского фотоэффекта 30
1.5. Физические принципы метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий (HAXPES) 35
Глава 2. Техника и методика эксперимента 44
2.1. Российско-Германский канал вывода синхротронного излучения, экспериментальная станция RGL-PES 44
2.2. Экспериментальная станция HIKE, канал вывода синхротронного излучения KMC-1 49
2.3. Экспериментальная станция Polarimeter, канал вывода синхротронного излучения UE56/2 PGM-2 54
2.4. Экспериментальная станция Reflectometer, Оптический канал вывода синхротронного излучения 59
2.5. Характеризация образцов 63
Глава 3. Обсуждение результатов 66
3.1. Влияние модификации структуры SiO2 на формирование состояний валентной зоны и зоны проводимости 66
3.1.1. NEXAFS исследования 67
3.1.2. Фотоэлектронные исследования 78
3.2. Влияние симметрии ближайшего окружения центрального атома на формирование состояний валентной зоны и зоны проводимости Al2O3 89
3.3. Взаимодействие Al2O3 с металлическим электродом: перераспределение кислорода на границе раздела 1 3.3.1. AlL2,3- и OK-спектры поглощения пленки -Al2O3 103
3.3.2. TiL2,3-, NK- и OK-спектры поглощения TiN электрода 108
3.3.3. Послойный анализ фазового-химического состава TiN электрода с помощью фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий 113
Заключение 124
Список литературы 127
