Явления переноса и механизмы релаксации носителей заряда в кристаллах висмута, легированных донорными и акцепторными примесями

Сидоров Александр Валентинович. Явления переноса и механизмы релаксации носителей заряда в кристаллах висмута, легированных донорными и акцепторными примесями : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : СПб., 2004 163 c. РГБ ОД, 61:04-1/1000
Автор
Сидоров Александр Валентинович
Год
2004
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Краткий обзор литературных данных по исследованию электрических свойств и структуры кристаллов типа висмута 11
1.1 Структура кристаллов типа висмута 11
1.2 Зонная структура кристаллов типа висмута 15
1.3 Явления переноса в кристаллах висмута, легированных донорными и акцепторными примесями 22
1.4 Механизмы рассеяния носителей заряда в кристаллах типа висмута 28
1.5 Выводы к главе 1. 31
Глава 2. К теории явлений переноса в кристаллах типа висмута 33
2.1 Феноменологическая теория явлений переноса в кристаллах типа висмута 33
2.2 Электронная теория явлений переноса в кристаллах типа висмута 36
2.3 Решение стационарного кинетического уравнения Больцмана в упрощенной модели Лэкса носителей заряда зоны L 39
2.4. Определение электропроводности для кристаллов типа висмута в модели Макклюра-Чоя 45
2.5. Определение дифференциальной термоэдс кристаллов висмута в случае закона дисперсии Макклюра-Чоя ...51
2.6. Выводы к главе 2 52
Глава 3. Получение монокристаллов легированного висмута и методика эксперимента ...54
3.1 Получение, методы контроля и показатели качества монокристаллов висмута, легированных донорными и акцепторными примесями теллура и олова 54
3.2 Методика измерения кинетических коэффициентов в кристаллах типа висмута и оценка погрешностей измерений 60
3.3 Выводы к главе 3 66
Глава 4. Экспериментальные результаты 67
4.1 Об определении компенсированных кристаллов в системе Bi..67
4.2 Эффект Холла в слабых магнитных полях 69
4.3 Дифференциальная термоэдс 76
4.4 Удельное сопротивление 82
4.5 Изменение удельного сопротивления в магнитном поле 88
4.6 Изменение термоэдс в магнитном поле 96
4.7 Магнитополевые зависимости постоянной Холла 104
4.8 Выводы к главе 4 106
Глава 5. Обсуждение экспериментальных результатов 108
5.1 Расчет концентраций и подвижностей носителей заряда в кристаллах Bi из области компенсации висмута с помощью закона дисперсии Лэкса носителей заряда зоны L 108
5.2 Вычисление концентраций и подвижностей носителей заряда в кристаллах легированных в сторону преобладания теллура или олова 118
5.3 Расчет парциальных термоэдс носителей заряда в кристаллах из области компенсации висмута 123
5.4 Расчет кинетических эффектов в кристаллах легированных теллуром и оловом на основе закона дисперсии Макклюра - Чоя носителей заряда зоны 128
5.5 О термоэффективности кристаллов висмута, легированных примесями теллура и олова до их частичной компенсации 139
5.6. Выводы к главе 5. 142
Заключение 144
Публикации по теме диссертационной работы 146
Список цитируемой литературы 148

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Колупаева Светлана Николаевна
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Силис Мария Ильинична
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Кондаков Данила Евгеньевич
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Корнилов Олег Александрович
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3