Введение
ГЛАВА I Источники плазмы в микро- и наноэлектронике и методы их диагностики 13
1.1 Введение 13
1.2 Источники плазмы в микроэлектронике 16
1.2.1 Источники плазмы с совмещенными зонами 16
1.2.2. Источники плазмы с разделенными зонами 19
1.2.2.1. Источники плазмы без магнитного поля 20
1.2.2.2 Источники плазмы с магнитным полем 23
1.3. Методы диагностики плазмы в микроэлектронике 25
1.3.1 Метод электрических зондов, его применение для оптимизации технологического плазменного оборудования 30
ГЛАВА II Плазмохимический реактор диодного типа на базе нч разряда 36
2.1. Экспериментальная установка 36
2.1.2. Схема зондовых измерений 38
2.2. Особенности зондовой диагностики плазмы электроотрицательных молекулярных газов при средних давлениях 40
2.2.1. Учёт влияния стока электронов на зонд 41
2.2.2. Диагностика по ионной ветви зондовой характеристики... 42
2.3. Экспериментальные результаты 44
2.3.1. Режим горения разряда 44
2.3.2. ФРЭЭ и её моменты 44
2.3.3. Определение концентрации положительных ионов 46
2.3.4. Потенциал плазмы 50
2.4. Зондовые методы диагностики процессов плазмохимического травления 52
ГЛАВА III Плазмохимический реактор на основе источника индуктивно связанной плазмы 60
3.1. Технологическая установка 61
3.1.1. ВЧ источник с индуктивным возбуждением плазмы 61
3.1.2. Измерительный комплекс 63
3.2. Особенности зондовой диагностики индуктивно связанной плазмы электроотрицательных молекулярных газов в плазмохимических установках 66
3.2.1. Электромагнитные поля в зоне измерений 66
3.2.2. Конечное значение сопротивлений элементов зондовой цепи 69
3.2.3. Колебания потенциала плазмы 73
3.3. Методика обработки зондовых измерений 73
3.4. Экспериментальные результаты и их обсуждение 74
3.4.1. Зависимости параметров плазмы от вкладываемой в разряд мощности 76
3.4.2. Влияние магнитной системы защиты стенок на радиальную однородность параметров плазмы 81
ГЛАВА IV Плазмохимическии реактор на основе свч источника 83
4.1. Технологическая установка 84
4.2. Ионная ветвь ВАХ одиночного электрического зонда Ленгмюра в плазме электроотрицательных газов, влияние отрицательных ионов на образование слоя пространственного заряда 88
4.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение 95
4.3.1. Зависимости параметров плазмы от вкладываемой в разряд мощности 98
4.4. Радиальная однородность параметров плазмы. Сравнение ICP и 103 СВЧ источников с точки зрения их применимости в технологии. Заключение 107
Литература 109
