Введение
Глава 1. Диэлектрические свойства тонкопленочных объемных сегнетоэлектриков 8
1.1 .Синтез и исследование диэлектрических свойств тонких пленок титаната свинца 8
1.2. Диэлектрическая нелинейность кристалла ТГС с примесью ионов европия 20
Глава 2. Взаимодействие доменных границ с дефектами кристаллической решетки 27
2.1.Взаимодействие доменных границ с точечным заряженным дефектом в сегнетоэлектрике-сегнетоэластике 27
2.2. Взаимодействие доменных границ с центрами дилатации в кристаллах сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков 34
2.3.Взаимодействие доменных границ с дислокациями в кристаллах сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков 39
Глава 3. Старение и деградация сегнетоэлектриков 49
3.1. Частотная зависимость коэрцитивного поля в пленочных сегне-тоэлектриках 49
3.2. Причины старения и деградации сегнетоэлектриков 57
3.3. Изменение диэлектрической проницаемости и коэрцитивного поля в результате перераспределение дефектов со временем в состаренном сегнетоэлектрике
3.4. Образование упрямых доменов и микрорастрескивание в при- электродных областях в процессе усталости сегнетоэлектриков 67
Глава 4. Эмиссия электронов в сегнетоэлектриках 75
4.1. Эмиссия электронов при переполяризации сегнетоэлектриков 75
4.2. Зависимость электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС от толщины образца 81
4.3. Исследование пространственного распределения электронов, эмитированных при переключении спонтанной поляризации 89
4.4. Кинетика электронной эмиссии в кристаллах ТГС с примесью ионов европия 102
Выводы 106
Литература 108
