Введение
Глава 1. Применение сильноточного электронного ускорителя ГИН-400 для исследования электризации твердых тел 18
1.1. Ускоряющее напряжение и ток диода ускорителя ГИН-400 19
1.2. Энергетический спектр пучка электронов 23
1.3. Пространственное распределение термализованных электронов пучка в веществе 24
1.4. Пространственное распределение поглощенной энергии пучка в веществе 29
Глава 2. Генерация, рекомбинация и захват неравновесных носителей заряда в ионных кристаллах 31
2.1. Материалы исследования 32
2.1.1 Энергетические зоны щелочно-галоидных кристаллов 33
2.2. Энергетический спектр вторичных электронов 34
2.3. Средняя энергия создания электронно-дырочной пары 40
2.4.Термализация вторичных электронов 41
2.5. Относительный выход свободных носителей заряда в ионных кристаллах 45
2.6. Радиационно-индуцированная проводимость диэлектриков 48
2.7. Методика измерения РИП при рентгено- и фотовозбуждении 52
2.8. Рекомбинация носителей заряда 55
2.9. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в ЩГК при возбуждении импульсным рентгеновским излучением 56
2.10. Время жизни носителей заряда в ЩГК при рентгено- и фотовозбуждении 61
2.11. Центры захвата носителей заряда в ионных соединениях 62
2.11.1. Механизм нелинейности ВАХ в сильном электрическом поле 62
2.11.2. Кинетика радиационно-индуцированной проводимости кристаллов Csl в сильных электрических полях при возбуждении импульсным рентгеновским излучением 73
2.11.3. Мелкие центры захвата электронов в ЩГК 79
Основные результаты и выводы к главе 2 80
Глава 3. Образование приповерхностных объемных зарядов при протекании радиационно-индуцированного тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл 82
3.1. Методика измерения рентгено- и фоторазрядного токов 83
3.2. Время жизни приповерхностных зарядов 89
3.3. Амплитудные и временные характеристики плотности рентгеноразрядного и фоторазрядного токов 90
3.4. Значения приповерхностных зарядов и напряженности электрического поля на переходе металл-диэлектрик 93
Основные результаты и выводы к главе 3 99
Глава 4. Пространственное распределение напряженности электрического поля и заряда в диэлектрике при импульсном электронном облучении 101
4.1. Структура объемного заряда при низкоинтенсивном электронном облучении 102
4.2. Структура электрических полей в ZnSe при импульсном электронном облучении 107
4.2.1. Методика измерения Е(х) 107
4.2.2. Пространственное распределение поля и заряда при различных положениях электродов на образце 111
Основные результаты и выводы к главе 4 118
Глава 5. Амплитудно-временные параметры напряженности электрического поля в диэлектриках при импульсном электронном облучении 120
5.1. Накопление электрических зарядов при низкоинтенсивном электронном облучении диэлектриков 124
5.2. Электронная эмиссия из диэлектрика, при облучении ИЭП 127
5.3. Поверхностная проводимость изолятора 130
5.4. Электризация диэлектриков ИЭП 133
5.4.1. Измерение напряженности электрического поля в диэлектриках при облучении ИЭП с помощью электрооптического эффекта 134
5.4.2. Переходные токи и напряженность поля в диэлектриках при облучении ИЭП 137
5.4.2.1. Методика измерения и экспериментальные результаты 137
5.4.2.2. Заполнение центров захвата электронами в диэлектрических материалах при интенсивном электронном облучении 143
5.4.2.3. Образование сильных электрических полей в диэлектриках при облучении ИЭП 152
Основные результаты и выводы к главе 5 157
Глава 6. Моделирование процесса заряжения диэлектриков при импульсном электронном облучении 160
6.1. Моделирование процесса накопления 03 с помощью методики равномерной объемной высокоэнергетической инжекции 168
6.1.1. Основные соотношения 168
6.1.2. Модель РОВИ 171
6.1.3. Пространственно-временное распределение напряженности электрического поля в модели РОВИ 173
6.2. Моделирование процесса электризации с помощью методики эквивалентных схем 177
6.2.1. Характеристики тока и заряда в кристалле КС1 при облучении ИЭП 182
Основные результаты и выводы к главе 6 189
Глава 7. Пробой ионных кристаллов в импульсных электрических полях 191
7.1. Электрический пробой ионных кристаллов в наносекундном диапазоне 203
7.2. Генерация носителей заряда в кристалле КВг в предпробойных импульсных электрических полях 206
7.3. Модель электрического разряда в щелочно-галоидных кристаллах 209
Основные результаты и выводы к главе 7 220
Глава 8. Дозиметрия поглощенной энергии импульсного электронного пучка по акустической реакции твердых тел 222
8.1. Акустический метод 223
8.1.1. Термодинамические соотношения 223
8.1.2. Генерация акустических волн 227
8.1.3. Хрупкое разрушение диэлектрических материалов под действием ИЭП 230
8.1.4. Поляризационно-оптическая методика измерения характеристик АВ 231
8.1.5. Влияние электрического поля на профиль D(x) 236
8.1.6. Влияние давления АВ на аннигиляцию F-Я-центров окраски в ЩГК 239
8.2. Измерение пространственного распределения короткоживущих центров окраски в ЩГК 239
8.3. Измерение характеристик акустических волн высокой интенсивности 241
8.3.1. Прохождение волн высокой интенсивности через границу раздела сред 241
8.3.2. Регистрация акустических волн в твердых телах при мощном импульсном электронном облучении 243
Основные результаты и выводы к главе 8 245
Основные результаты и выводы 246
Литература 249
