Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы 9
1.1. Место и роль плазменных процессов в технологии микро- и наноэлектроники9
1.2. Применение плазмы галогенводородов для травления металлов и полупроводников 12
1.3. Стационарные параметры и состав неравновесной низкотемпературной плазмы HCl 21
1.4. Спектры излучения плазмы HCl. Спектральный контроль состава 31
плазмы 31
1.5. Заключение. Постановка задачи 38
ГЛАВА 2. Методическая часть 40
2.1. Экспериментальная установка 40
2.3. Измерения температуры нейтральных невозбужденных частиц 45
2.4. Измерения осевой (E) и приведенной (E/N) напряженности электрического поля 48
2.5. Спектральные измерения 49
2.6. Моделирование плазмы 49
2.7. Погрешности экспериментов и расчетов 56
ГЛАВА 3. Параметры плазмы и концентрации заряженных частиц в бинарных смесях HCl+Ar, He, H2, Cl2, O2 58
3.1. Экспериментальное исследование электрофизических параметров 58
плазмы смесей HCl+Ar, He, H2, Cl2, O2 58
3.2. Моделирование плазмы смесей HCl+Ar, He, H2, Cl2, O2 66
3.3. Заключение 75
ГЛАВА 4. Спектры излучения и концентрации нейтральных частиц в плазме бинарных смесей HCl-Ar, He, H2, Cl2, O2 77
4.1. Спектры излучения плазмы индивидуальных газов 77
4.2. Эмиссионные спектры и интенсивности излучения нейтральных частиц в плазме смесей HCl+Ar, He, H2, Cl2, O2 86
4.3. Кинетика гетерогенной гибели атомов и концентрации нейтральных частиц в плазме смесей HCl-Ar, He, H2, Cl2, O2 99
Заключение 116
Список литературы 118
