Введение
Глава 1. Литературный обзор
Введение 12
Собственные дефекты решетки в соединениях II-IV-V2 15
Радиационные дефекты в соединениях II-IV-V2 18
Глава 2. Методика эксперимента
Введение 24
Подготовка, обработка и облучение образцов протонами 25
Обработка экспериментальных данных 27
Изохронный отжиг облученного материала 31
Глава 3. Радиационные дефекты в диарсенидах цинка -олова (ZnSnAs2), -ГЕРМАНИЯ (ZnGeAs2), -кремния (ZnSiAs2)
Введение 32
Диарсенид цинка-олова (ZnSnAs2) 32
Диарсенид цинка-германия (ZnGeAs2) 36
Диарсенид цинка-кремния (ZnSiAs2) 42
Заключение по главе 3 47
Глава 4. Радиационные дефекты в диарсенидах кадмия - олова (CdSnAs2), -германия (CdGeAs2), -кремния (CdSiAs2)
Введение 48
Диарсенид кадмия-олова (CdSnAs2) 48
Диарсенид кадмия-германия (CdGeAs2) 54
Диарсенид кадмия-кремния (CdSiAs2) 57
Заключение по главе 4 63
Глава 5. Анализ экспериментальных данных
Введение 64
5.1. Закрепление уровня Ферми при облучении 64
5.1.1. Бинарные III-V и тройные II-IV-V2 аналоги 65
5.1.2. Дефекты решетки в тройных соединениях II-IV-V2 67
5.1.3. Средняя энергия гибридной связи в соединениях H-IV-V2 69
5.1.4. "Нейтральная" точка кристалла 71
5.2. Радиационное модифицирование и предельный уровень легирования химическими примесями соединений (Zn, Cd)-(Sn, Ge, Si)-As2 77
Основные результаты и выводы 81
Заключение 83
Список литературы 86
