Электромагнитные процессы при прохождении частиц высоких энергий через кристаллы и интенсивные внешние поля

Хоконов Азамат Хазрет-Алиевич. Электромагнитные процессы при прохождении частиц высоких энергий через кристаллы и интенсивные внешние поля : Дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 : Нальчик, 2004 294 c. РГБ ОД, 71:05-1/231
Автор
Хоконов Азамат Хазрет-Алиевич
Год
2004
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1 Прохождение релятивистских частиц через ориентиро ванные кристаллы 17
1.1 Статистическое равновесие в поперечном фазовом пространстве 19
1.2 Проблема деканалирования. Кинетические уравнения 28
1.3 Угловые распределения в ориентированных кристаллах 39
1.4 Асимметричное распределение аксиально каналированных электронов по угловым моментам 45
1.5 Выводы к главе 1 55
2 Излучение ультрарелятивистских электронов в ориенти рованных кристаллах 56
2.1 Излучение ультрарелятивистских электронов 60
2.2 Излучение при квазипериодическом движении 65
2.3 Квантовый сиихротронный предел 70
2.4 Излучение в толстых кристаллах при средних энергиях . 76
2.5 О возможности циркулярной поляризации излучения релятивистских позитронов при каналировании в кристаллах типа цинковой обманки 83
2.6 Выводы к главе 2 93
3 Модификация некоторых процессов квантовой электродинамики в ориентированном кристалле 94
3.1 Процессы во внешнем поле, нарушающем стабильность вакуума 95
3.2 Тунелирование в потенциале инстантонного типа 103
3.3 Процессы, связанные с модификацией тока заряженных частиц в кристаллах 109
3.4 Глубоко-неупругое рассеяние лептонов на адронах во внеш нем поле кристалла 119
3.5 Двухфотонные процессы в ориентированном кристалле 128
3.6 Возможность управления спектром реальных и виртуальных фотонов 133
3.7 Исследование жесткой части спектра электромагнитного излучения позитронов при прохождении через монокри сталлы 138
3.8 Квазиклассическая теория вычисления матричных элементов для вероятностей глубоких переходов в произвольном плоскостном потенциале . 145
3.9 Выводы к главе 3 153
4 Моделирование процессов прохождения электронов через ориентированные кристаллы 155
4.1 Моделирование прохождения и излучения при энергиях свыше 100 ГэВ. Диффузионное приближение 158
4.2 Моделирование с точным учётом многократного рассеяния 170
4.3 Спектры излучения одиночных фотонов при энергиях свыше 100 ГэВ 175
4.4 Некогерентное излучение в кристаллах при средних энергиях 189
4.5 Выводы к главе 4 203
5 Взаимодействие релятивистских электронов с полем тераваттных лазеров 205
5.1 Общая характеристика излучения релятивистских электронов, движущихся в поле лазера. Сравнение с излучением при каналировании 207
5.2 Дипольное приближение для лазерных источников излучения и излучения при каналировании 210
5.3 Анализ экспериментальных результатов 216
5.4 Квантовый дипольный спектр 220
5.5 Уравнения движения электрона в поле плоской волны 224
5.6 Классическая теория нелинейных эффектов в излучении релятивистских электронов в поле интенсивной лазерной волны 228
5.7 Классический синхротронный предел 233
5.8 Квантовая теория нелинейных эффектов в излучении релятивистских электронов в поле интенсивной лазерной волны 237
5.9 Классификация процессов взаимодействия релятивистских электронов с лазерным излучением 247
5.10 Выводы к главе 5 252
Выводы 253
Литература 256

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Целлермаер Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Чжу Хунчжи
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Чиванов Андрей Викторович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Степанов Николай Петрович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Чмелева Ксения Владимировна
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3