Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы .9
1.1. Кристаллическая структура селенида галлия 9
1.2. Электронная структура селенида галлия .15
1.3. Наноматериалы селенида галлия 27
ГЛАВА 2. Описание вычислительных методов 35
2.1. Общая характеристика методов расчета электронной структуры .35
2.2. Метод функционала электронной плотности 39
2.3 Спектр квазичастиц и GW-приближение 45
2.4 Метод эмпирического псевдопотенциала .50
ГЛАВА 3. Электронная структура валентной зоны двумерных нанообъектов селенида галлия .54
3.1. Выбор обменно-корреляционного функционала, псевдопотенциалов, и определение параметров численных расчетов 54
3.2. Электронная структура отдельного тетраслоя GaSe 60
3.3. Зависимость электронной структуры GaSe от числа тетраслоев 68
ГЛАВА 4. Электронные состояния зоны проводимости двумерных нанообъектов селенида галлия 81
4.1. Расчет методом эмпирического псевдопотенциала 81
4.2. Расчет в GW-приближении 90
ГЛАВА 5. Зависимость запрещенной зоны от геометрии квантовых точек селенида галлия 97
Основные результаты работы 103
Библиографический список использованной литературы
