Электронная структура кристаллов гексагалогенидов Sb(III) и Te(IV) с внешнесферными катионами по данным методов теории функционала плотности и фотоэлектронной спектроскопии

Доценко Александр Андреевич. Электронная структура кристаллов гексагалогенидов Sb(III) и Te(IV) с внешнесферными катионами по данным методов теории функционала плотности и фотоэлектронной спектроскопии: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.07 / Доценко Александр Андреевич;[Место защиты: Дальневосточный федеральный университет], 2016
Автор
Доценко Александр Андреевич
Год
2016
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Структурные и физико-химические особенности кристаллов гексагалогенидов S2–ионов с внешнесферными катионами 12
1.1 Спектрально-люминесцентные особенности кристаллов допированных s2 ионами 12
1.1.1 Люминесценция s2–ионов 12
1.1.2 Проявление эффекта Яна-Теллера и спин-орбитального взаимодействия 14
1.1.3 Особенности люминесценции молекулярных кристаллов допированных s2–ионами 1.2 Структурные особенности анионов гексагалогенидов 20
1.3 Электронное строение изоструктурных анионов гексагалогенидов 22
1.4 Структура и свойства гуанидина, дифенилгуанидина и их протонированных форм 29
1.5 Физико-химические особенности кристаллов гексагалогенидов Te и Sb c внешнесферными катионами 37
1.6 Краткие выводы по главе 40
ГЛАВА 2. Методика эксперимента и квантово-химического моделирования 42
2.1 Физические основы метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии 42
2.2 Описание экспериментальной установки 43
2.3 Методика проведения эксперимента 49
2.3.1 Управление источником рентгеновского излучения и режимами съемки 49
2.3.2 Получение спектров исследуемых образцов 52
2.3.3 Обработка спектров 54
2.4 Методика квантово-химического моделирования 55
2.4.1 Описание программных комплексов GAMESS-US и FireFly 59
2.4.2 Описание программного комплекса ChemCraft 61
2.4.3 Процедура проведения квантово-химического моделирования 62
2.4.4 Базисные наборы
2.5 Выбор базисного набора 67
2.6 Описание модельных соединений 70
2.7 Параметры квантово-химического моделирования, эксперимента и обработки спектров 78
ГЛАВА 3. Электронная структура составных частей сложных кристаллов гексагалогенидов TE(IV) и SB(III) 80
3.1 Электронная структура соединений гуанидина и его производных 80
3.2 Электронная структура модельных октаэдрических анионов гексагалогенидов Sb(III) и Te(IV) 90
3.3 Моделирование возбужденных состояний анионов Sb(III) 93
3.4 Краткие выводы по главе 96
ГЛАВА 4. Электронная структура молекулярных кристаллов гексагалогенидов TE(IV) и SB(III ) 97
4.1 Электронная структура кристаллов гексагалогенидов Te(IV) с внешнесферными катионами гуанидиния и цезия 97
4.1.1 Электронная структура кристаллов (HGu)2TeCl6, (HGu)2TeBr6, Cs2TeCl6, Cs2TeBr6 97
4.1.2 Теоретические и РФЭ спектры валентных электронов 100
4.1.3 Моделирование возбужденных состояний кристалла Cs2TeCl6 105
4.2 Электронная структура кристаллов гексагалогенидов Te(IV) с катионами N,N -дифенилгуанидиния 108
4.2.1 Электронная структура кристаллов (HDphg)2TeCl6 и (HDphg)2TeBr6 108
4.2.2 РФЭ спектры валентных электронов 112
4.3 Электронная структура кристаллов гексагалогенидов Sb(III) с катионами N,N -дифенилгуанидиния 116
4.3.1 Электронная структура кристаллов (HDphg)3SbCl6 и (HDphg)3SbBr6 116
4.3.2 РФЭ спектры валентных и остовных электронов 121
Заключение 126
Список литературы 128

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Елец Дмитрий Игоревич
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Дильмиева Эльвина Тимербулатовна
Количество страниц
Год
2018
99 000 UZS
Автор
Жигачев Андрей Олегович
Количество страниц
Год
2016
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3