Введение
Глава 1. Введение в физику топологических изоляторов и методы расчета 10
1.1. Основы физики топологических изоляторов 10
1.1.1. Введение 10
1.1.2. Поверхностные состояния 12
1.1.3. Квантовое состояния Холла—первый шаг к ТИ 15
1.1.4. Сходства и различия графена с ТИ 21
1.2. Методы расчета электронной структуры 23
1.2.1. Метод функционала электронной плотности 23
1.2.2. Спин-орбитальное взаимодействие 29
1.2.3. Псевдопотенциальный подход для вычисления электронной структуры кристаллов 31
1.3. Заключение к первой главе 39
Глава 2. Электронная структура бинарных халькогенидов Ві и Sb, а также тройных соединений на их основе 40
2.1. Введение 40
2.2. Электронная структура бинарных халькогенидов Bi2Se3, Bi2Te3, Sb2Te3 44
2.3. Эффект третьего компонента в системах Bi2Te2S, Bi2Te2Se, Bi2Se2Te, Sb2Te2S, Sb2Te2Se 52
2.4. Заключение ко второй главе 61
Глава 3. Особенности электронной структуры слоистых тетрадими-топодобных соединений типа nA^B^-mArfBcf7 (AIV- Ge, Sn, Pb; A Bi,Sb;BK/-Te,Se),n=l;m=l-3 63
3.1. Введение 63
3.2. Электронная структура соединений типа A^B^-AJf В^1 . 66
3.3. Специфика электронных поверхностных состояний в соединениях типа А/Т/Ву/-(2 - 3)А7 76
3.4. Заключение к третьей главе 86
Глава 4. Электронная структура тройных халькогенидов на основе таллия Tl-A^-BJf7 (Ay-Sb, Bi; By/-Se, Те) 88
4.1. Введение 88
4.2. Объемная электронная структура в TlBiTe2, TlBiSe2, TlSbTe2, TlSbSe2 91
4.3. Поверхностная электронная структура соединений Т1АВ2 . 94
4.4. Заключение к четвертой главе 103
Заключение 104
Литература 107
