Введение
ГЛАВА 1. Общие сведения о кристаллах с сильным внутренним изгибом кристаллической решётки 13
1.1 Особенности и получение тонких, в том числе, аморфных плёнок 14
1.2 Кристаллические структуры с переменной кристаллографической ориентировкой 16
1.3 Экспериментальные и модельные представления о структуре кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки 18
1.4 Изгибные экстинкционные контуры и их роль в исследовании структуры кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки 23
1.4.1 Образование изгибных экстинкционных контуров на электронно-микроскопических изображениях 24
1.4.2 Теоретические основы индицирования картин изгибных экстинкционных контуров 30
1.4.3 Теоретические основы определения кристаллографической ориентировки по картинам изгибных экстинкционных контуров 32
1.4.4 Физические и геометрические основы определения величины внутреннего изгиба кристаллической решётки 33
1.5 Обоснование выбора образцов для исследования 36
1.6 Выводы по главе 1. Формулировка цели работы 40
ГЛАВА 2. Методика 42
2.1 Приготовление образцов 42
2.2 Методы кристаллизации тонких аморфных плёнок и исследования структуры растущих кристаллов 46
2.3 Обзор исследовавшихся тонких плёнок 48
2.4 Использование метода изгибных контуров для анализа электронно-микроскопических микроизображений 48
2.4.1 Индицирование картин изгибных экстинкционных контуров 48
2.4.2 Определение кристаллографической ориентировки кристаллов 50
2.4.3 Определение величины внутреннего изгиба кристаллической решётки методом изгибных контуров 51
2.4.4 Определение толщины кристаллов и плёнок методом изгибных экстинкционных контуров 54
2.5 Методика проведения комбинированных исследований методами просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии 55
2.6 Методика определения компонентного состава тонких бинарных плёнок 58
2.7 Выводы по главе 2. Формулировка задач диссертационной работы 61
ГЛАВА 3. Исследование особенностей внутреннего изгиба в кристаллах теллура, растущих в тонких аморфных плёнках Cu-Те и Sb-Te 63
3.1 Исследование плёнок Cu-Те 63
3.1.1 Краткий обзор исследовавшихся плёнок 63
3.1.2 Влияние толщины плёнки на изгиб кристаллической решётки и морфологию растущих кристаллов теллура . 67
3.1.3 Влияние состава плёнки на изгиб кристаллической решётки и морфологию растущих кристаллов теллура . 71
3.2 Исследование плёнок Sb-Te 73
3.2.1 Краткий обзор исследовавшихся плёнок 73
3.2.2 Внутренний изгиб решётки отдельных микрокристаллов Те 76
3.2.3 Влияние толщины плёнки на величину внутреннего изгиба 78
3.3 Обсуждение результатов 81
3.3.1 Сильный внутренний изгиб решётки кристаллов теллура 81
3.3.2 Анизотропия внутреннего изгиба кристаллической решётки 82
3.3.3 Влияние толщины и состава плёнки на величину внутреннего изгиба и морфологию кристаллов 83
3.4 Краткие выводы 84
ГЛАВА 4. Исследование особенностей внутреннего изгиба решётки кристаллов, растущих в плёнках оксида хрома 86
4.1 Общий обзор плёнок 86
4.2 Исследование особенностей кристаллографической ориентировки серповидных кристаллов aCr Oz методом изгибных экстинкционных контуров 88
4.3 Определение ориентировки серповидных кристаллов гониометрическим методом 96
4.4 Выводы по главе 99
ГЛАВА 5. Исследование особенностей внутреннего изгиба решётки кристаллов, растущих в плёнках оксида тантала 101
5.1 Общий обзор плёнок 101
5.2 Внутренний изгиб решётки кристаллов TaiO^ 103
5.3 Влияние толщины кристаллов на величину внутреннего изгиба их кристаллической решётки 106
5.4 Выводы по главе 109
ГЛАВА 6. Исследование влияния сильного внутреннего изгиба кристаллической решётки на рельеф поверхности кристаллов, растущих в тонких плёнках оксида железа 111
6.1 Краткое изложение ранее полученных результатов 111
6.2 Структура поверхности кристаллов aFe O исследование методами атомно-силовой микроскопии 113
6.3 Глобулярная структура поверхности плёнки Fe^Oz 117
6.4 Выводы по главе 118
ГЛАВА 7. Обсуждение результатов 120
7.1 Обобщение результатов 120
7.2 Влияние толщины на величину внутреннего изгиба 123
7.3 Влияние ориентировки на внутренний изгиб кристаллической решётки 127
7.4 Связь морфологии и изгиба кристаллической решётки 128
Основные выводы
