Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs

Ушаков, Дмитрий Владимирович. Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Минск, 2000.- 23 с.: ил.
Автор
Ушаков, Дмитрий Владимирович
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
99 000 UZS
Автор
Филимонов, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
99 000 UZS
Автор
Фирсов, Дмитрий Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
99 000 UZS
Автор
Чабан, Юрий Ярославович
Количество страниц
Год
2000
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
99 000 UZS
Автор
Чеканов, Валерий Александрович
Количество страниц
Год
2000
Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Сягло, Андрей Иванович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3