Введение
ГЛАВІ І. Локализация электронов и экситонов на дислокациях в полупроводниках
1.1. Введение. Электронный, спектр полупроводника с дислокацией. 12
1.2. Эффективный, гамильтониан, для дислокационных. электронов. 17
1.3. Экситоны, связанные с глубокими зонами дислокационного электронного спектра. 25
ГЛАВА II. Взаимодействие дислокационных электронов и экситонов с фононами
1. Электрон-фононноа взаимодействие 30
2. Экситон-фононное: взаимодействие . 37
3. Релаксация дислокационных экситонов при экситон-фононном взаимодействии 41
ГЛАВА III. Исследование дислокационного экситонного спектр оптическими методами
1. Введение.. Оптические свойства полупроводника. с дислокациями 46
2. Поглощение света 50
3. Комбинационное рассеяние света 54
4. Дислокационная люминесценция 58
ГЛАВА ІV. Влияние, дислокационных электронных состояний на подвижность дислокаций в полупроводниках
IV. I. Введение 6Г
ІУ.2. Изменение, электронного спектра, при движении дислокационного перегиба 66
3. Электронно-стимулированная подвижность дислокаций , 71
4. Обсуждение; результатов 74.
Заключение. 78
Литература 83
