Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау

Калагин Александр Константинович. Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Калагин Александр Константинович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников СО РАН].- Новосибирск, 2008.- 102 с.: ил. РГБ ОД, 61 09-1/291
Автор
Калагин Александр Константинович
Год
2008

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом
99 000 UZS
Автор
Гусейнов Давуд Вадимович
Количество страниц
Год
2007
Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов
99 000 UZS
Автор
Варламов Александр Геннадьевич
Количество страниц
Год
2006
Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
99 000 UZS
Автор
Львов Павел Евгеньевич
Количество страниц
Год
2001
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
99 000 UZS
Автор
Яновицкая Зоя Шмеровна
Количество страниц
Год
2003
Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
99 000 UZS
Автор
Ромашко Лариса Николаевна
Количество страниц
Год
2001
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3