Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурных при большом числе заполненных уровнений Ландау

Калагин Александр Константинович. Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурных при большом числе заполненных уровнений Ландау : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Калагин Александр Константинович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников СО РАН].- Новосибирск, 2008.- 17 с.: ил. РГБ ОД, 9 08-5/210
Автор
Калагин Александр Константинович
Год
2008

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
99 000 UZS
Автор
Рабинович Олег Игоревич
Количество страниц
Год
2008
Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда
99 000 UZS
Автор
Кацоев Валерий Витальевич
Количество страниц
Год
2008
Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
99 000 UZS
Автор
Рыжкова Мария Валерьевна
Количество страниц
Год
2008
Твердотельные сенсорные структуры на кремнии
99 000 UZS
Автор
Тутов Евгений Анатольевич
Количество страниц
Год
2008
Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
99 000 UZS
Автор
Кислякова Анна Юрьевна
Количество страниц
Год
2008
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3