Введение
ГЛАВА I. Литературный обзор лазерных и плазменных источников излучения уф и вуф диапазона, использующихся в современных микроэлектронных технологиях 23
1.1. Эксимерные лазеры для оптической литографии 23
1.2. Плазменные источники излучения для ВУФ литографии 32
1.2.1. Особенности ВУФ литографии 32
1.2.2. Источники излучения ВУФ литографии 40
1.3. Эксимерные лазеры для материальных процессов 45
1.3.1. Микрообработка материалов 45
1.3.2. Лазерная кристаллизация кремния в производстве жидкокристаллических экранов 50
ГЛАВА II. Исследование физических факторов, определяющих достижение высокой средней мощности электроразрядных эксимерных лазеров 57
2.1. Параметры, определяющие эффективность эксимерных лазеров 58
2.1.1. Условия получения эффективной генерации 58
2.1.2. Лазеры с максимальной эффективностью и максимальной частотой следования импульсов 61
2.2. Газодинамические процессы в газовом контуре эксимерных лазеров 68
2.2.1. Влияние акустических колебаний на выходные параметры ХеС1- импульсно-периодического эксимерного лазера (ИПЭЛ) 68
2.2.2. Расчет параметра для ХеС1-ИПЭЛ 72
2.2.3. Пространственное распределение энерговклада при импульсно-периодическом режиме (ИПР) 74
2.2.4. Влияние области нагретого разрядом газа на характеристики ИПЭЛ 77
2.3. Влияние приэлектродных процессов на контрагирование объёмного разряда в ИПЭЛ 86
2.3.1. Экспериментальное моделирование приэлектродных процессов и их влияние на контрагирование разряда в ИПР 87
2.3.2. Режимы воздействия лазерного импульса на электрод 93
2.3.3. Влияние приэлектродных процессов на выходные параметры ХеС1-ИПЭЛ 97
2.4Выводы к главе II
ГЛАВА III. XeCl-лазеры 100
3.1. XeCl-ИПЭЛ с энергией генерации ~1 Дж 100
3.1.1. XeCl-лазер со средней мощностью излучения 420 Вт 101
3.1.2. XeCl-лазеры с компактными газодинамическими контурами 105
3.2. Широкоапертурные XeCl-лазеры 111
3.2.1. Пространственно-временные и энергетические характеристики излучения широкоаппертурного (7x7см2) ХеС1-лазера 112
3.2.2. Влияние неоднородности предыонизации на характеристики разряда широкоапертурного ХеС1-лазера 119
3.2.3. XeCl-лазер со средней мощностью 600 Вт 121
3.3. Расходимость излучения XeCl-лазера при ИПР 124
3.3.1. Увеличение расходимости излучения XeCl-лазера при ИПР 125
3.3.2. Влияние акустических колебаний на расходимость излучения ХеС1-лазера 129
3.4. ВКР-преобразование излучения XeCl-лазера в сжатом Н2 в ИПР 134
3.4.1. Эффективность ВКР-преобразование излучения XeCl-лазера в сжатом Н2 135
3.4.2. Влияние ИПР на эффективность ВКР-преобразования 143
3.5. Выводы к главе III 149
ГЛАВА IV. KrF-Лазеры 151
4.1. Высокоэффективные KrF-лазеры 152
4.1.1. Особенности газопродувной и электроразрядной систем KrF-лазеров с компактными газодинамическими контурами 152
4.1.2. Влияние распределения электрического поля на характеристики KrF-лазера 155
4.1.3. Эффекты ограничения средней мощности в компактных KrF-ИПЭЛ \ 5Ь
4.2. KrF-лазер с высокой средней мощностью 164
4.2.1. Особенности функциональных систем лазера 164
4.2.2. Выходные характеристики лазера 170
4.3. KrF-лазеры с высокой частотой следования импульсов 184
4.3.1. KrF-лазер со средней мощностью 650 Вт 184
4.3.2. KrF лазер с частотой следования импульсов 5 кГц 193
4.4.Выводы к главе IV 201
ГЛАВА V. ArF- И XeF-ЛАЗЕРЫ 204
5.1. Высокоэффективные ArF-лазеры 205
5.2. ArF-лазеры с высокой частотой следования импульсов 207
5.2.1. ArF-лазер со средней мощностью 300 Вт 207
5.2.2. ArF-лазер с частотой следования импульсов 6 кГц 215 5.2.3 Исследование выноса области нагретого разрядом газа 224
5.3. XeF-лазер с частотой следования 5,5 кГц 227
5.4.Выводы к главе V 231
ГЛАВА VI. Плазменные вуф источники с высокой средней мощностью излучения 234
6.1..Устройство источников ВУФ излучения на основе разряда типа Z-пинч и методы регистрации их параметров 235
6.1.1. Функциональные системы источников 23 5
6.1.2. Источники первого поколения 237
6.1.3. Источники второго поколения 23 8
6.1.4. Высокотемпературная керамика лайнера источников 239
6.1.5. Система регистрации параметров ВУФ излучения 241
6.2. Процесс формирования разряда типа Z-пинч 242
6.3. Особенности режима вклада энергии в разряд 244
6.4. Спектр излучения ВУФ источника на основе разряда в Хе 248
6.5. Зависимость характеристик ВУФ источника от давления Хе 251
6.6. Энергетические параметры ВУФ источников 254
6.6.1. Источники первого поколения 254
6.6.2. Источники второго поколения 257
6.7. Пространственные характеристики излучающей плазмы 260
6.8. Импульсно-периодический режим работы источников 267 6.9.Выводы к главе VI 271
Общие выводы 273
Заключение 275
Литература
