Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ
Ладугин Максим Анатольевич. Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.03 / Ладугин Максим Анатольевич; [Место защиты: ФГУП НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха].- Москва, 2009.- 170 с.: ил. РГБ ОД, 61 10-5/118
