Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si

Никольский Юрий Анатольевич. Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07.- Воронеж, 2001.- 263 с.: ил. РГБ ОД, 71 03-1/170-5
Автор
Никольский Юрий Анатольевич
Год
2001

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si(001)
99 000 UZS
Автор
Новиков Алексей Витальевич
Количество страниц
Год
2025
Оптические свойства и электронная структура эпитаксиальных пленок дисилицидов Cr и Fe на Si(111)
99 000 UZS
Автор
Маслов Андрей Михайлович
Количество страниц
Год
2001
Примесная диффузия никеля-63 в монокристаллическом кремнистом железе в постоянном магнитном поле в области температур магнитного фазового перехода
99 000 UZS
Автор
Миронов Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2024
Мессбауэровские исследования кинетики формирования и динамики колебаний кислородной подрешетки в ВТСП-керамике
99 000 UZS
Автор
Михненко Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Радиационно-индуцированные изменения оптических, электрических и механических свойств стекол, диэлектриков и полупроводников
99 000 UZS
Автор
Мохамед Арафат Мохамед Ахмед Адави
Количество страниц
Год
2001
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3