Введение
1 Литературный обзор 9
1.1 Структура поверхности кристаллизации полупроводников 9
1.1.1 Поверхностные конфигурации атомов 9
1.1.2 Адсорбционный слой 13
1.1.3 Шероховатость поверхности кристаллизации 15
1.2 Теоретические методы исследования физических свойств поверхности кристаллизации. Потенциалы взаимодействия 20
1.2.1 Метод молекулярной динамики 20
1.2.2 Метод Монте-Карло 27
1.2.3 Потенциалы парного взаимодействия 30
1.3 Использование метода молекулярной динамики при моделировании роста слоев из газовой и жидкой фаз 33
1.3.1 Моделирование поверхности 34
1.3.2 Прилипание, аккомодация, адсорбция, рассеяние 35
1.3.3 Поверхностная диффузия 38
1.3.4 Взаимодействие кластеров с поверхностью кристалла 39
2. Моделирование кинетики процесса массопереноса в двухфазной системе жидкость -кристалл методом молекулярной динамики 44
2.1 Реализация метода молекулярной динамики на двухфазной системе вида кристалл - раствор вещества кристалла 45
2.2 Выбор временного шага 53
2.3 Вычисление параметров парных потенциалов взаимодействия компонентов соединений А3В 53
2.4 Оптимизация метода молекулярной динамики 60
2.5 Модель установления фазового равновесия в системе кристалл АЭВ5 - раствор элемента В5 в расплаве А3 62
2.6 Реализация метода молекулярной динамики 64
2.7 Обсуждение результатов моделирования 68
2.7.1. Исследования фазового равновесия при температуре ликвидуса 68
2.7.2 Исследования фазового равновесия при температурах отличных от температуры ликвидуса 71
3. Исследование кинетики роста кристалла а3в5 при температурах близких температуре ликвидуса 78
3.1 Описание модели 78
3.2 Обсуждение результатов моделирования 80
3.2.1 Кинетика процессов роста слоя и растворения подложки при равенстве температур кристалла и раствора при t=to 81
3.2.2 Кинетика процессов роста слоев GaP из пересыщенного раствора-расплава 85
4. Моделирование процесса кристаллизации атомов с учетом теплоты фазового перехода 91
4.1 Модель кинетики роста кристалла при переменной температуре 91
4.2 Обсуждение результатов моделирования 94
Выводы
