Введение
ГЛАВА 1. Литературный обзор 13
1.1. Гетероструктуры 1-го и 2-го типа 13
1.2. Надбарьерные состояния в гетероструктурах 15
1.2.1. Модель периодического потенциала 15
1.2.2. Экспериментальные исследования надбарьерных состояний 20
1.3. Зонная структура ZnSe/BeTe 22
1.4. Изгиб зон в гетероструктурах 2-го типа 25
1.5. Межслойная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа 30
1.5.1. Времена релаксации надбарьерных носителей заряда 31
1.5.2.Эффект ширины барьера в гетероструктурах 2-го типа 33
1.5.3. Начальная заселенность надбарьерных состояний 38
1.6. Влияние изгиба зон на релаксацию носителей 39
1.7. Влияние внешнего электрического поля на релаксацию носителей 41
1.7.1. Случай гетероструктуры первого типа 41
1.7.2. Случай гетероструктуры второго типа 42
1.7.2.1. Влияние на пространственно непрямые переходы 43
ГЛАВА 2. Образцы и экспериментальная техника 46
2.1. Исследуемые образцы 46
2.2. Методика регистрации фотолюминесценции 49
2.2.1. Параметры оптического возбуждения 49
2.2.2. Методика измерений с временным разрешением 51
2.3.Экспериментальная установка 56
2.3.1. Время-разрешенные измерения 56
2.3.2. Время-интегрированные измерения 58
ГЛАВА 3. Кинетика релаксации фотовозбужденных носителей в условиях изгибазон 60
3.1. Введение 60
3.2. Измерения времени жизни фотовозбужденных дырок в слое ZnSe 62
3.3. Численный расчет зонных схем 70
3.3.1. Резонансные условия туннелирования надбарьерных дырок 73
3.4. Образование метастабильного состояния для дырок в слое ZnSe в структуре S10 (10/5 нм)77
3.5. Удлинение времени излучательной рекомбинации носителей в слое ZnSe в структурах S15 (15/7.5 нм) и S20 (20/10 нм) 80
3.6. Нагрев марганцевой подсистемы в гетероструктурах (Zn,Mn)Se / (Be,Mn)Te 84
3.7. Выводы 93
ГЛАВА 4. Процессы формирования изгиба зон при высокой плотности оптического возбуждения 96
4.1. Введение 96
4.2. Быстрая релаксация фотовозбужденных дырок 96
4.3. Кинетика пространственного разделения дырок 98
4.3.1. Модельный расчет для структуры S10 (10/5 нм) 102
4.4.Особенности кинетики ФЛ при высокой плотности разделенных носителей 105
4.5. Выводы 113
ГЛАВА 5. Особенности спектров фотолюминесценции при приложении внешнего электрического поля 115
5.1. Введение 115
5.2. Кинетика релаксации фотовозбужденных носителей при приложении внешнего электрического поля 116
5.2.1. Постановка задачи 116
5.2.2. Экспериментальные данные 119
5.2.3. Расчеты времен релаксации 125
5.2.4. Обсуждение 127
5.3. Определение величины разрыва валентной зоны в ZnSe/BeTe 128
5.3.1. Постановка задачи 129
5.3.2. Результаты эксперимента 131
5.3.3. Сравнение величины фиолетового сдвига с расчетами 133
5.4. Выводы 135
Заключение 137
Список публикаций 139
Литература 142
