Введение
ГЛАВА I. Литературный обзор.
1.1 Экситоиные состояния в одиночных квантовых ямах 12
1.2 Эффекты связанные с экситонами и экеитониыми комплексами в двухслойных системах 21
1.3 Кристаллическая фаза в системах с пространственно разделенными электронами и дырками 26
1.4 Выводы. Постановка задачи 30
ГЛАВА II. Свойства экситонных состояний в одиночных квантовых ямах GaAs/AIGaAs в присутствие квазидвумерного электронного газа .
2.1 Постановка задачи 34
2.2 Теория экранирования Линхарда 36
2.3 Приближение локального поля 43
2.4 Сжимаемость системы 46
2.5 Экранирование возбужденных экситонных состояний 48
2.6 Температурная зависимость пороговой концентрации 2ДЭГ 54
ГЛАВА III. Экранирование и перестройка связанных состояний в двухслойных системах. Эффекты увлечения .
3.1 Перестройка прямого экситона в системе пространственно разделенных экситонов и электронов 61
3.2 Эффекты экранирования межслосвых экситонов 66
3.3 Заряженные многочастичные комплексы: свойства непрямого триона 65
3.4 Увлечение экситонов электронами в двухслойной системе
3.5 Экранирование эффекта увлечения
ГЛАВА IV. Решение задачи о спектре коллективных возбуждений в системах с кристаллической фазой .
4.1 Разреженная система экситонов в двухслойной структуре
4.2 Анализ дисперсионных зависимостей оптических и акустических мод к нулевом магнитном поле 94
4.3 Расчет магнитополевых зависимостей коллективных возбуждений экситонпого кристалла
4.4 Изменение спектра при квантовом переходе кристалл-жидкость в двухслойной экситоииой системе 101
4.5 Об особенностях коллективных возбуждений в реальных структурах 103
Заключение 110
Приложение 1 112
Приложение 2 113
