Введение
1. Обзор литературы 11
1.1. Конструкция и основные типы полупроводниковых детекторов 11
1.2. Материалы для полупроводниковых детекторов 14
1.3. Обзор методов исследования полупроводниковых кристаллов методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии 23
2. Описание методик исследования 39
2.1. Растровая электронная микроскопия 39
2.2. Просвечивающая электронная микроскопия 44
2.3. Технология получения монокристаллов CdTe. Конструкция печи. Метод Обреимова-Шубникова 45
3. Исследование полученных кристаллов CdTe 51
3.1. Образцы, выращенные в кварцевом тигле. Монотонное охлаждение 52
3.2. Образцы, выращенные в кварцевом тигле. Ступенчатое охлаждение 54
3.3. Образцы, выращенные в тигле из стеклоуглерода и нитрида бора. Ступенчатое охлаждение 57
3.4. Исследование микровключений в кристаллах CdTe 60
3.5. Определение транспортных характеристик монокристаллов CdTe 68
3.6. Получение и свойства детекторных структур, полученных на основе монокристаллов CdTe 72
4. Исследование детекторов рентгеновского и гамма излучений на основе арсенида галлия 78
4.1. Образцы с подложкой, легированной теллуром (ЭТ-379Т) 82
4.2. Образцы с подложкой, легированной углеродом (ЭТ-388) 84
4.3. Образцы с подложкой, легированной оловом (ЭТ-379) 85
4.4. Образцы с подложкой, легированной углеродом (ЭТ-380) 87
4.5. Исследование влияния приложенного смещения на размер и форму ОГО детекторной структуры (образец ЭТ-380) и эффективность сбора носителей 88
Выводы 94
