Введение
1. Концентрационные эффекты и винтовая неустойчивость в полупроводниках с бипо лярной электроводностью
1.1. Особенности прохождения электрического тока через ограниченный полупроводник с биполярной анизотропной электропроводностью II
1.2. Концентрационный эффект в анизотропно деформированных полупроводниках кубической сингонии 17
1.3. Магнитоконцентрационные эффекты в полупроводниках 29
1.4. Винтовая неустойчивость в электронно-дырочной плазме 33
1.5. Заключение 40
2. Четный магнитоконцентрационный эффект в шогодолинных полупроводниках 42
2.1. Теория эффекта 43
2.2. Экспериментальное обнаружение эффекта. Сравнение с теорией 47
2.2.1. Приготовление образцов и методика эксперимента 47
2.2.2. Обсуждение полученных результатов 49
3. Влияние многодолинного эффекта на винтовую неустойчивость 54
3.1. Влияние ММКЭ на срыв осциллисторных колебаний в Ge 54
3.I.I. Приготовление образцов и методика эксперимента 54
3.1.2. Экспериментальные результаты и их обсуж дение 55
3.2. Влияние МШЭ на другие характеристики осциллистора в Ge 66
4. Ориентационная зависимость характеристик винтовой неустойчивости в условиях одно осной деформации 72
4.1. Постановка задачи 72
4.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение 74
4.3. Использование осциллисторного эффекта в датчике пороговых деформаций 82
5. Разогревши концентрационный эффект и его влияние на некоторые характеристики винтовой неустойчивости в многодолинных полупроводниках 85
5.1. Постановка задачи и методика эксперимента.85
5.2. Результаты исследования вольт-амперных характеристик и их обсуждение 87
5.2.1. Длинный германиевый диод 88
5.2.2. Образец германия со слабоинжектирующими контактами 94
5.3. Влияние РКЭ на срыв винтовой неустойчи вости 99
Приложение 102
Преобразователь перемещения на основе магнито-концентрационного эффекта 102
Общие выводы 108
Литература
