Введение
Глава 1. Обзор литературы 12
1.1. Гетероструктуры на основе кремния 12
1.2. Гетероструктуры на основе соединений AIIIBV 14
1.3. Гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов соединений AIIIBV 17
1.3.1. Гетероструктуры на основе трехкомпонентных твердых растворов соединений AIIIBV 17
1.3.2. Гетероструктуры на основе четырехкомпонентных твердых растворов соединений AIIIBV 22
1.4. Квантово-размерные гетероструктуры 23
1.5. Методы кристаллизации гетероструктур 27
1.5.1. Жидкофазная кристаллизация в поле температурного градиента 27
1.5.2. Ионно-лучевая кристаллизация (ИЛК) 28
1.5.3. Лазерная кристаллизация (ЛК) 30
Выводы по 1 главе 32
Глава 2. Моделирование фотоактивных гетероструктур InхGa1-хP1-уAsу/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si . 34
2.1. Зависимость параметров GaxIn1-xP1-yAsy от стехиометрического состава 34
2.2 Моделирование гетероструктуры InGaPAs/GaAs 36
2.3 Моделирование гетероструктуры InGaPAs/InP 38
2.3.1 Оптимизация толщины уровня легирования фотоактивного слоя для гетероструктуры InGaPAs/InP 41
2.4 Моделирование гетероструктур GaP/Si и AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей 43
2.4.1 Исследование влияния толщины широкозонного окна на характеристики гетероструктур GaP/Si и AlGaAs/Si 43
2.4.2 Исследование влияния глубины залегания p-n перехода на характеристики гетероструктур GaP/Si и AlGaAs/Si 45
Выводы по 2 главе 48
Глава 3 Методы кристаллизации гетероструктур GaInPAs/InP(GaAs) для фотопреобразователей 48
3.1 Жидкофазная кристаллизация гетероструктур GaInPAs/InP(GaAs) в поле температурного градиента STRONG 49
3.1.1 Аппаратное оформление метода ЖКТГ для выращивания InGaPAs/GaAs (InP) гетроструктур 50
3.1.2 Подготовка подложек и расплава к процессу кристаллизации 53
3.1.3 Получение гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP) методом ЖКТГ 55
3.2 Метод ионно-лучевой кристаллизации гетероструктур с промежуточной подзоной. 57
3.2.1 Оборудование для получения фотоактивных материалов методом ионно-лучевой кристаллизации 57
3.2.2. Подготовка мишеней и подложек. 60
3.2.3 Формирование массивов квантовых точек в методом ионно лучевой кристаллизации 62
3.3 Метод лазерной кристаллизации гетероструктур Si-AlGaAs, Si-GaP для фотопреобразователей 64
3.3.1 Оборудование для выращивания тонких пленок соединений AIIIBV методом лазерной кристаллизации . 64
3.3.2 Подготовка подлжек и получение гетероструктур Si-AlGaAs, Si-GaP 69
Выводы по 3 главе 72
Глава 4. Исследование гетероструктур и характеристик фотопреобразователей на их основе . 75
4.1 Исследование гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP) полученных методом жидкофазной кристаллизации в поле температурного градиента 75
4.2 Исследование квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs 81
4.3 Исследование гетероструктур GaP/Si и Al0.3Ga0.7As/Si полученных методом лазерной кристаллизации 90
4.4 Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях на характеристики ФЭП 94
Выводы по 4 главе 100
Основные результаты и выводы 103
Список работ опубликованных автором по теме диссертации 105
Список литературы 108
