Введение
1 Оптические методы исследования экситонов в одиночных GaAs квантовых ямах 13
1.1 Фотолюминесценция GaAs/AlGaAs гетероструктур с кванто выми ямами 13
1.1.1 Эксперименты по исследованию фотолюминесценции GaAs/AlGaAs гетероструктур с одиночными квантовыми ямами 16
1.1.2 Применение фотолюминесценции к изучению свойств 2D экситонов 17
1.2 Резонансное рэлеевское рассеяние в GaAs/AlGaAs гетерострук- турах 19
1.2.1 Упругое рассеяние локализованных 2D экситонов 19
1.2.2 Эксперименты по резонансному рэлеевскому рассеянию 22
1.2.3 Применение резонансного рэлеевского рассеяния к изучению процессов фазовой релаксации 2D экситонов 23
1.3 Нелинейные методы исследования релаксации 2D экситонов 24
1.3.1 Опубликованные результаты работ по изучению нелинейных свойств экситонов в GaAs квантовых ямах 25
1.3.2 Особенности опубликованных исследований 27
1.4 Выводы и задачи работы 28
2 Метод резонансного экситонного отражения 30
2.1 Используемая модель 30
2.2 Спектроскопия резонансного экситонного отражения 36
2.3 Фактор качества 41
2.4 Выводы 42
3 Измерение резонансного экситонного отражения при слабых интенсивностях возбуждения 44
3.1 Спектральные измерения резонансного экситонного отражения 45
3.1.1 Экспериментальная установка 45
3.1.2 Зависимость Гд от толщины квантовой ямы 47
3.1.3 Зависимость Гд от температуры 52
3.1.4 Измерение скоростей обратимой и необратимой фазовой релаксации 2D экситонов 55
3.2 Временное поведение сигнала затухания свободной экситониой индукции 59
3.3 Экспресс-методика характеризации пространственной неоднородности оптических свойств гетероструктур с GaAs квантовыми ямами 62
3.4 Выводы 66
4 Стационарное резонансное рэлеевское рассеяние в GaAs кван товых ямах 68
4.1 Условия эксперимента 68
4.1.1 Экспериментальная установка 69
4.2 Спектральные свойства резонансного рэлеевского рассеяния 71
4.3 Температурные измерения резонансного рэлеевского рассеяния 74
4.4 Скорость спонтанного излучения локализованных 2D экситонов 75
4.5 Выводы 81
