Введение
Глава 1. Оптические свойства наноструктур на основе кремния, германия и арсенида галлия . 11
1.1 Фононы в наноструктурах на основе полупроводников IV группы и полупроводников типа AIII-BV. 11
1.2 Фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниках . 19
1.3 Комбинационное рассеяние света в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах. 23
1.4 Методы формирования полупроводниковых наноструктур с использованием самоорганизации. 31
1.5 Развитие оптических методов для контроля структуры нанообъектов. 42
Глава 2. Локализация фононов в нанокристаллах кремния и Германия. 56
2.1 Формирование нанокристаллов кремния и плёнок поликристаллического кремния с использованием импульсных лазерных отжигов. 56
2.2 Комбинационное рассеяние света в массиве ориентированных нанокристаллов кремния .
2.3 Оптические свойства нанокристаллов в диэлектрических плёнках. 89
2.4 Улучшенная модель локализации фононов в нанокристаллах. 100
2.5 КРС в легированных нанокристаллах кремния. 122
Глава 3. Фононы в наноструктурах на основе Ge/Si. 139
3.1 Определение состава и деформаций в плёнках GexSi(1-x) из анализа спектров комбинационного рассеяния света. 139
3.2 Определение состава и деформаций в квантовых точках GexSi(1-x) с учётом влияния размерного эффекта и гетерограницы . 153
3.3 Латеральная локализация фононов в нанообъектах Ge. 162
Глава 4. Локализация оптических фононов в нанообъектах на базе полупроводников AIII-BV, формирующихся на реконструированных поверхностях . 169
4.1 Исследование оптических фононов, локализованных в нанообъектах GaAs с малыми латеральными размерами. 169
4.2. Исследование локализации оптических фононов в квантовых проволоках GaAs. 186
4.3. Исследование фотолюминесценции квантовых проволок и точек GaAs/AlAs самоформирующихся на реконструированных поверхностях . 206
4.4. Анизотропия дисперсии фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs. 216
Глава 5. Фонон-плазмонное взаимодействие в наноструктурах на основе полупроводников AIII-BV 228
5.1 Численные расчёты дисперсии смешанных фонон-плазмонных мод в структурах со сложным фононным спектром. 228
5.2 Фонон-плазмонные моды в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs (100):
делокализация в структурах с туннельными барьерами. 235
5.3 Анизотропия фонон-плазмонных мод в плоских и латеральных сверхрешётках GaAs/AlAs. 249
5.4 Интерфейс-фонон-плазмонная мода в гетероструктуре n-GaAs/i-GaAs. 255
Основные результаты и выводы 261
Заключение 263
Литература
