Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках

Ильин, Николай Петрович. Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2000.- 218 с.: ил. РГБ ОД, 71 00-1/410-2
Автор
Ильин, Николай Петрович
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Поверхностные плазмон-фононные возбуждения в одновесных полупроводниках ZnO i 6H-SiC и структура на их основе
99 000 UZS
Автор
Мельничук, Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
99 000 UZS
Автор
Каменев, Борис Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
99 000 UZS
Автор
Неустроев, Ефим Петрович
Количество страниц
Год
2000
Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок
99 000 UZS
Автор
Карулина, Елена Анатольевна
Количество страниц
Год
2000
Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
99 000 UZS
Автор
Кочура, Алексей Вячеславович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3