Введение
Глава 1 Литературный обзор 10
1.0.1 Спинтроника 10
1.1 Эффект гигантского магнитосопротивления (ГМС) . 12
1.1.1 Открытие эффекта ГМС 12
1.1.2 CIP и СРР геометрия 12
1.1.3 Спин-вентильные структуры 13
1.1.4 Обзор теоретических работ 15
1.1.5 Ламинированные структуры 18
1.1.6 Применение 20
1.2 Инжекция спин-поляризованного тока в полупроводник . 21
1.2.1 Инжекция спин-поляризованного тока 21
1.2.2 Способы инжекции 22
1.2.3 Использование ферромагнетиков 23
1.2.4 Эксперименты с инжекцией из ферромагнетика в полупроводник 23
1.2.5 Проблема несовместимости сопротивлений металла и полупроводника 24
1.2.6 Использование барьера Шоттки 26
Глава 2 Методика расчета 29
2.1 Модель 29
2.1.1 Когерентный потенциал 30
2.2 Вычисление проводимости 33
2.2.1 Расчет функций Грина для многослойной системы . 33
2.2.2 Формула Кубо для нелокальной проводимости . 35
2.3 Вершинная поправка 36
2.3.1 Общее уравнение для вершинной поправки 36
2.3.2 Введение эффективного поля 40
2.4 Вычисление проводимости при наличии рассеяния с пере воротом спина на интерфейсках 41
2.4.1 Вершинная поправка на одном интерфейсе 42
2.4.2 Проводимость и вершинная поправка на интерфейсе 42
Глава 3 Гигантское магнетосопротивление (ГМС) 45
3.1 Отражение от барьера 45
3.1.1 Одинаковый квазиимпульс Ферми электронов в различных слоях многослойной структуры 48
3.1.2 Учет конечных размеров многослойки 48
3.1.3 Отражение электронов от потенциального барьера . 50
3.2 Ламинированные структуры 54
3.2.1 Методика расчета 56
3.2.2 Обсуждение результатов 59
Глава 4 Инжекция спин-поляризованного тока в полупроводник 62
4.1 Барьер Шоттки 62
4.2 Методика расчета 65
4.3 Обсуждение результатов 67
Заключение 71
Приложение А 75
