Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs

Козловский, Эдуард Юрьевич. Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)].- Великий Новгород, 2013.- 167 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-5/906
Автор
Козловский, Эдуард Юрьевич
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Высокочастотная система фазовой автоподстройки частоты, интегрированная в программируемую логическую интегральную схему
99 000 UZS
Автор
Быстрицкий, Сергей Алексеевич
Количество страниц
Год
2013
Разработка и исследование тонкоплёночных сенсорных структур для химических датчиков на основе углеродных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Комаров, Иван Александрович
Количество страниц
Год
2013
Особенности электролюминисценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах
99 000 UZS
Автор
Кудрявцев Константин Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов X-диапазона для систем радиолокации
99 000 UZS
Автор
Курмачев, Виктор Алексеевич
Количество страниц
Год
2013
Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами
99 000 UZS
Автор
Егармин, Константин Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3