Введение
ГЛАВА I. Анализ состояния проблемы и постановка задачи
1.1. Анализ методов расчета и моделирования реверсивно-включаемых динисторов 14
1.1.1. Конструкция и физические основы работы реверсивно-включаемого динистора 14
1.1.2. Асимметричный реверсивно-включаемый динистор 16
1.1.3. Теория квазидиодной работы реверсивно-включаемого динистора 18
1.2. Анализ современного состояния математического моделирования полупроводниковых приборов 20
1.3. Основные уравнения для моделирования силовых полупроводниковых приборов 22
1.3.1. Феноменологическая система дифференциальных уравнений полупроводника 23
1.3.2. Квазипотенциалы Ферми 25
1.3.3. Сужение ширины запрещенной зоны 25
1.3.4. Подвижность носителей заряда 27
1.3.5. Рекомбинация носителей заряда 29
1.3.6. Лавинная генерация носителей заряда 32
1.3.7. Тепловые свойства кремния 33
1 А. Выводы и постановка задачи 33
ГЛАВА II. Разработка математической модели асимметричного реверсивно-включаемого динистора
2.1. Конструкция моделируемой структуры 36
2.1.1. Учет краевого профиля 36
2.1.2. Элементарная структура реверсивно-включаемого динистора 43
2.2. Профили распределения концентрации легирующей примеси 48
2.3. Рекомбинационные центры, создаваемые в процессе электронного и протонного облучения 51
2.4. Учет влияния внешней цепи на работу асимметричного реверсивно-включаемого динистора 56
2.5. Основные уравнения математической модели асимметричного реверсивно-включаемого динистора 58
2.6. Краевые условия 60
2.7. Начальные условия 62
2.8. Выводы 63
ГЛАВА III. Апробация математической модели асимметричного реверсивно-включаемого динистора 65
3.1. Оптимизация конструкции асимметричного реверсивно-включаемого динистора 65
3.2. Исследование переходных процессов коммутации тока асимметричным реверсивно-включаемым динистором 77
3.3. Сравнение расчета с экспериментом 85
3.3. Моделирование влияния облучения на основные электрические параметры асимметричных реверсивно-включаемых динисторов 86
3.4. Выводы 94
Заключение 97
Список использованной литературы 101
Приложение А
Приложение Б
