Введение
1. Обзор литературы и постановка задачи исследования .
1.1. Дефектообразование и диффузия в полупроводниковых структурах
1.2. Влияние различных факторов на диффузию 6
1.3. Математические модели диффузии в полупроводниковых структурах
1.4. Постановка задачи исследования 63
2. Модель самодиффузии при вакансионном механизме .
2.1. Само диффузия при вакансионном механизме 6S
2.2. Влияние примесных пар на самодиффузию примеси в ГЦК-решетке У 9
2.3. Влияние вакансионных пар на коэффициент диффузии примеси У5
2.4. Выводы 40$
3. Феноменологическая модель диффузии в полупроводниковых структурах при вакансионном механизме .
3.1. Модель самодиффузии в многокомпонентных твердых растворах "
3.2. Модель диффузии в неоднородной по составу системе ,4А%
3.3. Модель взаимной диффузии в бинарной системе US
3.4. Выводы №4
4. Модель диффузии в твердых растворах при наличии структурных дефектов .
4.1. Диффузия примеси при гетерогенной реакции 30
4.2. Влияние конечной скорости химической реакции на структуру границы раздела фаз -32
4.3. Выводы №
Основные выводы ІЧІ
Список литературы
