Введение
ГЛАВА I. Релаксорные сегнетоэлектрики (рсэ). основные свойства и некоторые модели, описывающие процессы релаксации поляризации в области размытого фазового перехода в РСЭ 15
1 1.1. Особенности макроскопических свойств релаксоров 15
,1.2. Исследования микроструктурных характеристик РСЭ 19
1.2.1. Рентгенографический анализ. 19
1.2.2. Высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ) 27
1.3. Модельные представления РСЭ... 32
1.3.1. Модель флуктуации состава (модель Исупова В.А.
Смоленского Г.А.) 32
S 1.3.2. Другие модели, основанные на представлении о флуктуации состава в РСЭ 35
1.3.2.1. Модель суперлараэлектрического состояния 35
1.3.2.2. Модель дипольного и спинового стекла 42
1.3.2.3. Модель случайного поля 46
1.3.2.4. Модель колебания фазовых границ ...50
1.4. Долговременные релаксационные процессы в СЭ и родственных материалах 55
1.4.1. Процессы диэлектрического старения в СЭ 55
1.4.2. Долговременная релаксация в РСЭ и
сегнетоэлектриках с несоразмерной фазой (НСФ) 62
1.4.2.1. Долговременная релаксация в РСЭ 62
1.4.2.2. Изменение физических свойств со временем в области несоразмерной фазы 73
1.5. Краткие выводы по обзорной главе 80
ГЛАВА 2. Измерительная аппаратура, методика диэлектрических измерений и подготовки образцов 83
2.1. Экспериментальные установки по измерению диэлектрического отклика материала при различных частотах и амплитудах измерительного поля 83
2.2. Методики измерения временных зависимостей диэлектрических параметров материалов 89
2.3. Методика измерений токов 90
2.4. Образцы 94
ГЛАВА 3. Влияние термической и электрической предыстории на низко- и инфранизкочастотныи диэлектрический отклик релаксорных сегнетокерамик на основе ЦТС 97
3.1. Кинетика диэлектрического отклика сегнетокерамики ЦТС Л в различных временных интервалах выдержки образца при температурах соответствующих размытому фазовому переходу 97
ЗЛ .2. Влияние выдержки образца на поведение температурных зависимостей диэлектрических параметров и токов поляризации (деполяризации) в сегнетокерамике ЦТСЛ-8/65/35+O.lEu 105
3.2. Эффекты диэлектрической памяти в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 . 109
3.2Л. Обсуждение эффектов термической памяти в ЦТСЛ 118
3.3. Реверсивная диэлектрическая проницаемость и петли поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 126
3.4. Подобия и отличия в проявлении релаксорных свойств многокомпонентной сегнетопьезокерамики на основе ЦТС (МКСПК) и модельного релаксора ЦТСЛ 132
3.4.1. Поведение НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика МКСПК в слабых измерительных полях до и после воздействия смещающего поля 133
3.4.2. Реверсивные зависимости и петли поляризации в МКСПК в широкой области температур : 137
3.5. Выводы 145
ГЛАВА 4. Влияние радиации и механического воздействия на процессы релаксации поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35 148
4.1. Особенности температурного поведения НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика в облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 148
4.2. Влияние различных типов облучения на поведение петель поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 155
4.3. Временная зависимость диэлектрических параметров в облученной сегнетокерамики ЦТСЛ-х/65/35 163
4.3.1. Изменение характера дисперсии є* при длительной изотермической выдержке ГН-облученного образца ЦТСЛ-8/65/35 163
4.3.2. Проявление эффектов термической и полевой памяти в облученных образцах ЦТСЛ-х/65/35 165
4.4. Влияние давления на процессы релаксации поляризации в ЦТСЛ-х/65/35 (эффекты механической памяти) 171
4.4.1. Влияние постоянного электрического поля на проявление эффекта механической памяти 176
4.4.2. Проявление эффекта полевой памяти в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 при различной механической предыстории
материала 179
4.5. Выводы 186
ГЛАВА 5. Долговременные релаксационные явления в монокристалле SBN 189
5.1. Влияние механического напряжения на диэлектрические свойства SBN-75 190
5.2. Изменение диэлектрических параметров с течением времени в области размытого фазового перехода в монокристалле SBN 193
5.3. Эффекты диэлектрической памяти в монокристал л е-релаксоре SBN-75 196
5.3.1. Эффект термической памяти 196
5.3.2. Эффект полевой памяти 202
5.4. Токи поляризации и деполяризации в монокристалле SBN при различной предыстории материала 207
5.4.1. Обсуждение результатов по поведению токовых характеристик 213
5.5. Поляризационные и переполяризационные процессы в монокристалле SBN ,..215
5.5.1. Эволюция петель поляризации в области характеристических температур TdVL Тт в монокристаллах SBN 216
5.5.2.Температурные зависимости поляризационных и переполяризационных характеристик 221
5.5.3. Влияние предыстории на характер поляризационных и переполяризационных процессов в монокристаллах SBN 229
5.6. Выводы 235
ГЛАВА 6. Влияние допирования лантаном на низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства монокристалла SBN-61 237
6.1. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости в\Т), потерь є"(7) и эффективной глубины дисперсии Ає^Т1) BSBNL-61 237
6.2 Влияние смещающего поля на диэлектрический отклик SBNL-61 244
6.3. Реверсивные зависимости г(Е^) в монокристалле SBNL-61 в широкой области температур 251
6.4. Кинетика диэлектрической проницаемости и эффекты памяти в монокристалле SBNL-61 256
6.5. Процессы низко- и инфранизкочастотной переполяризации в монокристалле SBNL-61 .- 264
6.6. Выводы 269
Заключение и основные выводы 273
Литература
