Введение
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ 8
1.1. Получение высокотемпературного сверхпроводящего соединения Nb 5 8
1.2. Стабилизация фазы Nb5Ge 12
1.3. Попытки создания ВСФ Nb3Sl 18
1.4. Аномальные свойства соединений со структурой AI5. 20
1.5. Исследование электронных характеристик соединения Nb^Ge 23
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА 30
2.1. Методика изготовления образцов 30
2.2. Оптимизация режимов осаждения 36
2.3. Измерение критической температуры и резистивных характеристик образцов 40
2.4. Измерение температурной зависимости верхнего критического магнитного поля 44
2.5. Исследование морфологии, структуры и химического элементного состава образцов 45
2.6. Приготовление мостиковых и туннельных контактов на основе пленок Nb3Ge Измерение критических токов, ВАХ мостиков и туннельных переходов 48
2.7. Изготовление полосковых СВЧ резонаторов из
Nb-Ge. и измерение их добротностей 51
Глава 3. ОБРАЗОВАНИЕ И СТАБИЛИЗАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ ФАЗЫ АІ5 В ПЛЕНКАХ 54
3.1. Свойства пленок Nb -Ge , изготовленных в различных условиях 54
3.1.1. Жесткие режимы 55
3.1.2. Мягкие режимы 58
3.2. Стабилизация фазы Nb3Ge кислородом 63
3.2.1. Влияние присутствия кислорода при осаждении пленок Nb-Ge на их Т., 63
3.2.2. Морфология пленок Nb-Ge 73
3.2.3. Распределение химических элементов вблизи поверхности пленок /\Ib~Ge 78
3.3. Взаимосвязь электрофизических характеристик и структуры пленок Nb~Ge 86
3.3.1. Рентгенографическое изучение пленок, полученных в мягких режимах 86
3.3.2. Особенности структуры пленокNb"GerJtOЛученных в жестких режимах 95
3.3.3. Корреляции Т с резистивными характеристиками образцов и предельное значение Тк в Nb5Ge 100
3.4. Синтез сверхпроводящей фазы Nb3St 104
3.4.1. Образование фазы AI5 в пленках Nb-Ge-$u. 104
3.4.2. Стабилизация фазы AI5 в пленках Nb~Si 107
Глава 4. ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЩЦИНЕНИЯ NbjGe 118
4.1. Температурная зависимость Нкэ пленок NbjGe 118
4.2. Метод и алгоритм определения электронных характеристик 122
4.3. Температурная зависимость сопротивления пленок Nb-Ge и Nb-Si, 130
Глава 5. ОБСУВДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ 134
5.1. Механизм роста и стабилизация ВСФ Nb,Ge и Nk3S; в пленках 134
5.2. Зависимость электронных характеристик соединения МЦ?е. от длины свободного пробега и температуры 146
5.3. Факторы, определяющие высокие TR Nb Ge и других соединений со структурой AI5 155
Глава 6. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЛЕНОК МЦбе В КАЧЕСТВЕ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРО- И СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ 161
6.1. Туннельные и мостиковые контакты на основе пленок Nb5Ge 161
6.2. Сверхпроводящие микрополосковые СВЧ резона торы из №56е 168
Заключение , 172
ЛИТЕРАТУРА 174
