ГЛАВА I. Обзор по исследованию физических свойств висмута, сурьмы и сплавов на их основе 38
1.1. Кристаллическая структура висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма 38
1.2. Зона Бриллюэна и энергетический спектр висмута и сурьмы 41
1.3. Поверхность Ферми носителей заряда в висмуте, сурьме и дополнительные экстремумы в валентной зоне 46
1.4. Перестройка энергетического спектра сплавов висмут-сурьма при изменении состава 49
1.5. Законы дисперсии носителей заряда в висмуте и сплавах висмут-сурьма 54
1.5.1. Закон дисперсии носителей заряда в точках L ЗБ 54
1.5.2. Закон дисперсии носителей заряда в точках ТЗБ 59
1.6. Исследование сплавов висмут-сурьма с помощью явлений переноса в температурном интервале 4-ь80К 60
1.7. Фононный спектр и теплоёмкость висмута 64
ГЛАВА II. Некоторые вопросы теории явлений переноса 68
2.1. Феноменологическая теория явлений переноса в кристаллах типа висмута 68
2.2. Электронная теория явлений переноса в кристаллах типа висмута 70
2.3. Методы определения эффективной массы плотности состояний электронов (дырок) 74
2.4. Механизмы рассеяния носителей заряда в твёрдых телах 76
2.4.1. Рассеяние носителей заряда на ионах примеси 77
2.4.2. Рассеяние носителей заряда на акустических фононах 79
2.4.3. Рассеяние носителей заряда на нейтральной примеси 80
2.4.4. Рассеяние носителей заряда на точечных дефектах 80
2.4.5. Механизм межзонного рассеяния (MP) для носителей заряда 81 2.5. Фононная теплопроводность и механизмы релаксации фононов 83
ГЛАВА III. Методика эксперимента 87
3.1. Технология выращивания монокристаллических слитков сплавов на основе висмута и приготовления образцов 88
3.2. Прибор для исследования явлений переноса в широком интервале температур 92
3.3. Измерение электрических и гальваномагнитных эффектов при низких температурах 95
3.4. Измерение теплопроводности, термоэдс и термомагнитных эффектов 98
3.5. Измерение температуры и конструкция термометров 99
ГЛАВА IV. Исследование однозонных сплавов ві-sb р-типа методом кинетических явлений 103
4.1. Исследование дырок Ls — зоны в сплавах Bii xSbx (0.11<х<0.14) 104
4.2. Исследование валентной зоны сплавов ВІ! х8Ьх(0Л7<х<0Л9) 121
4.3. Исследование Т —зоны дырок в сплавах Bi| xSbx(x^0.05) 128
ГЛАВА V. Механизмы релаксации электронов (дырок) в однозонных с l-зоной сплавах висмут-сурьма 136
5.1. Максимум в зависимости диффузионной термоэдс от магнитного поля для полупроводниковых сплавов n-Bi-Sb 137
5.2, Механизмы релаксации электронов в полупроводниковых сплавах Bi^xSbx(0.07
6.1. Квантовые осцилляции кинетических эффектов в сплавах висмут-сурьма р-типа 166
6.2. Межзонный механизм рассеяния в сплавах Bii xSbx р-типа (экспериментальные результаты) 176
6.3. Теория явлений переноса в сплавах Bi-Sb р-типа с учётом межзонного рассеяния (сравнение теории с экспериментом) 195
6.4. Исследование структуры валентной зоны сплавов Bii xSbx (0<х<0.15) по особенностям в явлениях переноса при ЭТП 203
6.5. Электронный топологический переход в сильно легированных
донорнои примесью теллура Bi и сплавах Bi088Sb0>12 211
ГЛАВА VII. Некоторые особенности фононной теплопроводности и механизмов релаксации фононов в сплавах на основе висмута 229
7.1. Фононная теплопроводность висмута слабо легированного донорнои примесью теллура при Т<20К 229
7.2. Фононная теплопроводность висмута сильно легированного донорнои примесью теллура в интервале температур 2<Т<300К 240
7.3. Фононная теплопроводность сплавов Bii xSbx (0.01<х<0.2) в интервале температур 2<Т<20К 265
7.4. Фононная теплопроводность сплавов Bij xSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95К 281
7.5. Некоторые особенности фононной и полной теплопроводности сплавов Bii xSbx (0<х<0.12) сильно легированных акцепторной примесью олова .290
ГЛАВА VIII. Электронная теплопроводность и число лоренца в сплавах на основе висмута 296
8.1. Электронная теплопроводность и число Лоренца при электронных
топологических переходах (ЭТП) в сплавах на основе висмута (эксперимен
тальные результаты) 296
8.1.1. ЭТП в сплавах Bi-Te 296
8.1.2. ЭТП в сплавах Bi, xSbx(0
8.3. Электронная теплопроводность и число Лоренца в полупроводниковых сплавах Bii sSbx(0.12
9.1. Электрон-фононное увлечение в сплавах ВІ-Те 329
9.2. Влияние магнитного поля на фононную термоэдс в полупроводниковых сплавах В і i xSbx (0.07<х<0.16) 347
9.3. Особенности увлечения электронов фононами в сплавах Bij xSbx (0.13<х<0Л 5) с различным уровнем легирования теллуром 375
9.4. Особенности увлечения тяжёлых Е - дырок фононами в сплавах
p-Bi,„xSbx(0.12
10.1. Применение сплавов Bi-Sb в термоэлектричестве 395
10.2. Влияние легирования сплавов Bi-Sb на ТЭД п - ветви термоэлементов при Т<80К 399
10.3. ТЭД полупроводниковых сплавов р-Віi xSbx (0.12<х<0.14) 403
10.4. Зона тяжёлых дырок и знак термоэдс в области собственной проводимости 409
10.5. Низкотемпературный анизотропный термоэлемент на основе сплава Bi94.7Sb5.3Sno.002 416
Заключение 422
Литература
