Введение
Глава 1 Проблемы оценки радиационной стойкости БИС ОЗУ 17
1.1. Доминирующие радиационные эффекты 17
1.2. Типовые уровни радиационной стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем и узлов на их основе 23
1.3. Особенности проявления доминирующих радиационных эффектов в БИС ОЗУ 30
1.4. Выводы 36
Глава 2 Методы и средства локального радиационного воздействия на БИС ОЗУ по эффектам объемной ионизации 38
2.1. Оценка показателей радиационной стойкости БИС ОЗУ к импульсному ионизирующему излучению по объемным ионизационным эффектам по результатам испытаний наМУ и имитаторах... 38
2.2. Эффект просадки питания 50
2.3. Моделирование эффекта «просадки» питания в БИС ОЗУ 57
2.4. Выводы 64
Глава 3 Исследование возможностей средств локального воздействия на БИС ОЗУ по поверхностным радиационным эффектам 67
3.1. Оценка показателей радиационной стойкости БИС ОЗУ к дозовым эффектам по результатам испытаний на МУ и имитаторах 67
3.2. Методика локального радиационного воздействия 79
3.3. Релаксация функциональных отказов 87
3.4. Методика ускоренных испытаний «облучение-релаксация» 94
3.5. Выводы 102
Глава 4 Исследования локальных радиационных эффектов в БИС ОЗУ 104
4.1. Оценка показателей радиационной стойкости БИС ОЗУ к локальным радиационным эффектам по результатам испытаний на МУ и имитаторах 104
4.2. Экспериментальные исследования БИС ОЗУ на чувствительность к локальным радиационным эффектам 112
4.3. Методика локального воздействия на имитирующих установках... 119
4.4. Выводы 131
Заключение 132
Список литературы 138
Список сокращений 146
